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Mg:SLN太赫兹晶体,0.2-2.5 THz,OXIDE可提供高功率和大尺寸型 掺镁铌酸锂晶体

作者:admin  时间:2024-11-29 11:33:40

日本OXIDEMg:SLN晶体,即掺镁铌酸锂晶体,是指掺杂1.3mol% Mg的化学计量比LiNbO3太赫兹晶体(THz晶体)。Mg:SLN晶体是日本OXIDE用于GaN外延生长的新型衬底晶体,是用于产生太赫兹(THz)的关键器件。

日本OXIDE Mg:SLN晶体优势

- 容易产生太赫兹

- 宽THz带宽(0.2~2.5 THz

- 低缺陷密度

- 高损伤阈值


标准品1(高功率型)

在高平均输入功率下,由于剩余功率转储在棱镜外部,因此性能更好。

可选择镀膜或不镀膜

Size:10x 10 x 12.5 mm

光学抛光

镀增透膜(适用于 Ti:Sapphiraser 和 1um fs 光纤激光器)@ 780 -820nm 和 @1025nm ~ 1065nm

详细尺寸和规格


太赫兹晶体(THz晶体)产品

掺镁铌酸锂晶体标准品2(基本型)

掺镁铌酸锂晶体Size9 x 9 x 9 mm


光学抛光

镀增透膜(适用于 Ti:Sapphiraser 1um fs 光纤激光器)@ 780 -820nm @1025nm ~ 1065nm


太赫兹晶体(THz晶体)详细尺寸和规格


标准品2(高功率且大孔径型)

Size:20x 20 x 20mm

光学抛光

镀增透膜(适用于 Ti:Sapphiraser 1um fs 光纤激光器)@ 780 -820nm @1025nm ~ 1065nm


详细尺寸和规格

标准品4(高功率且超大孔径型)

Size:30x 30 x 30mm

光学抛光

镀增透膜(适用于 Ti:Sapphiraser 1um fs 光纤激光器)@ 780 -820nm @1025nm ~ 1065nm







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