作者：admin 时间：2025-8-12 2:39:50
在全球光电子产业向高密度集成、高温稳定方向发展的背景下，量子点激光器/QD Laser/DFB量子点激光器/FP量子点激光器/高温量子点激光器/高功率量子点激光器技术已成为突破传统半导体激光器性能边界的关键解决方案。日本QD Laser凭借其二十余年量子点外延生长技术积累，成功开发出工作温度达200℃、光反馈容限<-130dB/Hz的颠覆性产品系列，为5G通信、智能驾驶和工业传感等前沿领域提供革命性的光源选择。量子点激光器/QD Laser（Quantum Dot Laser）/DFB量子点激光器/FP量子点激光器/高温量子点激光器/高功率量子点激光器是一种基于量子点技术的先进光电子器件，在硅光子学等多个领域具有广泛应用。
量子点激光器/QD Laser/DFB量子点激光器/FP量子点激光器标准产品规格：
量子点激光器的型号如下：QLD1261-4005、QLD123F-4010、QLF1339-AA、QLF1312-P10、QLF131F-P16、QLF1335-AE、QLF1335-T200。波长范围在1240nm-1300nm，功率分为5mW、10mW、15mW、16mW，
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品名 |
波长 |
功率 |
LD类型 |
封装 |
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QLD1261-4005 |
1240 nm |
5 mW |
DFB |
14 pin BFY |
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QLD123F-4010 |
1240 nm |
15 mW |
DFB |
TO-56 |
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QLF1339-AA |
1310 nm |
5 mW |
FP |
TO-56 |
|
QLF1312-P10 |
1310 nm |
10 mW |
FP |
Chip |
|
QLF131F-P16 |
1310 nm |
16 mW |
FP |
Chip |
|
QLF1335-AE |
1300 nm |
- |
FP |
TO-56 |
|
QLF1335-T200 |
1265 nm |
- |
FP |
TO-56 |
图：硅芯片与量子点激光器/QD Laser激光图示
高温量子点激光器/高功率量子点激光器核心特性及优势
高温工作：高温高可靠性（85°C下预估寿命>30万小时），工作温度高达200°C且支持高密度激光阵列集成，适用于高密度集成的光电子系统
高光反馈容限：高光反馈容限（<-130 dB/Hz，对比量子阱激光器<-120 dB/Hz @ -30 dB）， 可移除光学隔离器，简化系统设计
定制外延片、宽增益光谱：支持含/不含光栅及再生长工艺
量子点激光器/QD Laser应用场景
在硅光子学中，应用于数据中心内通信、高性能计算、激光雷达（FMCW、ToF）、车载内部通信、移动通信基础设施、地下资源勘探（175–200°C环境）
高温量子点激光器/高功率量子点激光器产品线：
日本QD Laser的量子点激光器产品线可大致由波长+类型分为四类：FP 1300nm，DFB1300nm，DFB1240nm以及使用外延片可达1100-1300nm波长范围的量子点激光器。定波长的封装形式均为芯片+TO-CAN，晶圆式封装是配合外延片激光器使用的。
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波长 |
LD类型 |
封装形式 |
输出功率（mW） |
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1300 nm |
FP |
芯片、TO-CAN |
>10 |
|
1300 nm |
DFB |
芯片、TO-CAN |
>10 |
|
1240 nm |
DFB |
芯片、TO-CAN |
>10 |
|
1100-1300 nm |
外延片 |
晶圆 |
不适用 |
