作者：admin 时间：2025-8-14 5:49:24
Leistungselektronik JENA GmbH (LEJ) 成立于 1991 年，源自德国蔡司（Zeiss）研究院，拥有超过 30 年的光子学技术积累，专注于定制化电子与照明解决方案。其核心优势包括：“德国制造”品质（ISO 9001 认证），年投诉率低于 1%，敏捷开发能力：覆盖电子、机械、热管理全流程，支持原型到小批量生产（10-1000 台/年），垂直整合：自主开发软件、硬件及光学系统集成，合作覆盖半导体、显微成像、机器视觉等领域。
LEJ 的产品线围绕高功率照明系统、电子镇流器、LED驱动展开，尤其擅长深紫外（Deep UV）和短波紫外（UVA）光源技术，其核心产品：
Deep UV HgXe-Discharge 深紫外放电光源
应用场景：半导体掩模（Mask）和芯片（Chip）检测，依赖 200-400nm 深紫外波段的高分辨率成像。
技术特点：
-采用高压汞氙（HgXe）放电光源，提供稳定的深紫外输出；
-配套电子镇流器（如 EB-Series）实现精准电流控制，延长光源寿命；
-模块化设计（如 LH-QX 200i-L）支持快速集成至检测设备。
Deep UV systems ebqx 100-04 & lh-qx 100.60
应用场景：替代传统汞灯，用于晶圆缺陷检测和光刻对准，波长覆盖 365-405nm。
技术优势：
高功率密度（如 luxyr LED MAGNA），瞬态响应快，适配高速扫描；
低热噪声，适合长时间连续工作；
兼容定制化驱动（如 ampyr LED-M 4C-30/40）。
2. 配套电源与驱动
-电子镇流器（如 EBU-Series）：为放电光源提供稳定高压，支持脉冲调制；
-高速LED驱动（如 ampyr LED-D 16C-40/48）：峰值功率达 35kW，满足纳米级检测的瞬时亮度需求。
半导体行业应用案例: ebqx 100-04，LH-QX 200i-L，LH-QX 100.60 Mask and Chip Inspection
在半导体制造中，LEJ 的深紫外放电光源和UVA模块主要用于：
-掩模缺陷检测：
通过 Deep UV HgXe光源（如 LH-QX 100.60）照射掩模，结合高灵敏度传感器捕捉微米级缺陷（如划痕、污染）。对比传统汞灯，LEJ 光源寿命提升 30%，且光强稳定性更高。
-晶圆表面检测：
UVA-LED 模块（如 LED INSPEX）提供均匀照明，配合光学系统识别晶圆上的颗粒或刻蚀误差；
高速驱动支持微秒级闪光模式，适配移动扫描平台。
-光刻对准系统：
定制化 luxyr LED ONE FLEX 模块提供多波长选择（365nm/385nm/405nm），优化对准精度。
主要竞争对手
LEJ luxyr在深紫外放电光源（ebqx 100-04，LH-QX 200i-L，LH-QX 100.60）领域的主要竞争对手包括 Excelitas Technologies、Lumencor、CooLED、89North，各厂商优势如下：
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厂商 |
技术路线 |
优势领域 |
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Excelitas |
高压脉冲氙灯、LED阵列 |
高亮度均匀性 |
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Lumencor |
固态照明（激光/LED） |
多光谱灵活切换 |
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CooLED |
高效散热LED模块 |
紧凑型设计 |
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89North |
定制化光学系统集成 |
复杂光学适配 |
LEJ的关键优势：LEJ 的电子镇流器与光源协同设计能力突出（如 EB-Series + LH-QX），而竞争对手多依赖第三方电源。
总结
LEJ 凭借深紫外放电光源（ebqx 100-04，LH-QX 200i-L，LH-QX 100.60）和高功率LED模块，在半导体检测领域占据细分市场优势，尤其适合需要长寿命、高稳定性光源的Mask和芯片检测、显微成像场景。其核心竞争力在于：
-全自主技术链
-敏捷定制能力
-成本与性能平衡
