作者：admin 时间：2026-6-8 2:39:15
Exail的PSC-LN系列与PSW-LN-0.1是基于铌酸锂（LiNbO₃）相位调制技术的集成光电器件。基于铌酸锂晶体的电光扰偏器，其核心原理是通过外加电场改变晶体的折射率。当光束通过晶体时，若施加一个快速变化的电场，晶体折射率随之动态变化，从而使光的偏振态发生相应调制。这类器件的主要优势在于响应速度极快，得益于铌酸锂材料优异的高频电光特性。然而，该技术也存在若干局限。首先，由于光路需要在光纤与晶体界面之间多次耦合，导致插入损耗通常较高。其次，器件结构相对复杂，且铌酸锂晶体本身成本较高，造成整体造价昂贵。另一个关键问题是偏振敏感度高，即扰偏效果依赖于入射光的偏振方向。理想情况下，入射偏振方向应与晶体感应轴成45度角，此时性能最优，但实际应用中很难持续满足该条件。为拓宽偏振适应范围，可采用多级晶体串联的方案，但这又会进一步增加插入损耗和制造成本。
应用领域
-消除偏振灵敏度，实现去偏振
-偏振扰频
-干涉仪与传感器
-高速测试设备
200 MHz 电光偏振扰频器PSC-LN-0.1规格书：
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参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
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电光带宽(MHz) |
S₂₁ |
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150 |
200 |
|
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TE-TM 半波电压(V) |
VTTRF |
1 x VπRF 50 kHz |
|
6 |
7 |
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射频输入阻抗(Ω) |
Zin−RF |
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|
10000 |
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晶体 |
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Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
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波导工艺 |
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Ti diffusion |
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工作波长(nm) |
λ |
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1530 |
1550 |
1625 |
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插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4 |
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偏振相关损耗(dB) |
PDL |
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|
|
1 |
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光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
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调制电压范围(V) |
EVin |
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-20 |
|
+20 |
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光输入功率(dBm) |
OPin |
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT |
|
0 |
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+70 |
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存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
所有规格均在 25°C、1550 nm 下给出，除非另有说明。
每个 FC/APC 光纤连接器可能导致高达 0.25 dB 的额外损耗。
电光偏振扰频器型号：
PSC-LN为铌酸锂扰偏器，包含PSC-LN-0.1（200 MHz）和PSC-LN-10（12 GHz）两个型号，铌酸锂扰偏器能够在宽频带内对光信号的偏振态进行动态扰动，以消除偏振相关效应，其工作波长覆盖1530-1625 nm（C+L波段），插入损耗典型值为2.5-4 dB。PSW-LN-0.1为高速偏振开关，可在高达200 MHz频率下实现输入光在两个正交偏振态间的切换，典型开关电压为6-9 V。两者均采用紧凑设计，适用于光纤传感、干涉测量及高速测试系统等需要偏振控制或去偏振的应用场景。
PSC-LN系列是紧凑型高速电光偏振扰频器。这些集成光学器件具有低损耗单模波导特性，低频至12GHz铌酸锂扰偏器能够在直流至10GHz以上的频率范围内对偏振态进行调制。
它们的工作光学带宽约为100纳米。
该器件基于一个相位延迟器，能够对保持在固定、良好维持的偏振态的光进行去偏振，并具有残余偏振度。
PSC-LN-0.1与PSC-LN-10电光偏振扰频器基于Exail双折射铌酸锂（LiNbO₃）相位调制器，其波导以与主轴成45°角的方向被激发。因此，输入的偏振态（SOP）被分解为两个正交的TE和TM偏振态。
PSW-LN-0.1高速偏振开关是一款集成光学波导器件，可在高达200 MHz的频率下将输入光的偏振态在两个线性正交的输出状态之间切换。
PSW-LN-0.1高速偏振开关基于Exail双折射铌酸锂（LiNbO₃）相位调制器，其波导以与主轴成45°角的方向受激发光。因此，输入的偏振态（SOP）被分解为两个正交的TE和TM偏振态。当通过控制电极施加射频调制信号时，会在TE和TM分量之间产生光程差，从而导致输出光产生新的偏振态（SOP）。
PSW-LN偏振开关可充当延迟可由用户调节的波片。当向调制器施加具有适当选定峰值电平的调制信号时，输入的线偏振光可以保持原方向出射，或旋转90°出射。这两个方向与光学输出保偏光纤的主轴匹配，因此PSW-LN可作为慢/快轴开关运行。最终，可以调整相位调制信号，以在输出光纤的任一轴上提供高度线性的SOP。这种偏振旋转为高速偏振切换提供了一种高效的解决方案。
产品特点
- C+L波段操作
-支持低频至10 GHz工作范围
-低插入损耗
12 GHz电光偏振扰频器PSC-LN-10规格书：
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参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
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电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
从 2 GHz 起 |
10 |
12 |
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纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
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0.5 |
1 |
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
|
|
-17 |
-14 |
|
TE-TM 半波电压(V) |
VTTRF |
1 x VπRF 50 kHz |
|
6 |
7 |
|
阻抗匹配(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti diffusion |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
2.5 |
3.5 |
|
偏振相关损耗(dB) |
PDL |
|
|
|
1 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
射频输入功率(dBm) |
EPin |
|
|
|
28 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin |
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT |
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
所有规格均在 25°C、1550 nm 下给出，除非另有说明。
每个 FC/APC 光纤连接器可能导致高达 0.25 dB 的额外损耗。
200 兆赫兹偏振开关PSW-LN-0.1规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(MHz) |
S₂₁ |
RF电极 |
150 |
200 |
|
|
50 kHz 开关电压(V) |
Vπ 50kHz |
RF电极 |
|
6 |
7 |
|
150 MHz 开关电压(V) |
Vπ 150MHz |
RF电极 |
|
8 |
9 |
|
射频输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
|
10000 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1580 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4 |
|
偏振相关损耗(dB) |
PDL |
|
|
|
1 |
|
偏振消光比(dB) |
PER |
|
18 |
20 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
调制电压范围(V) |
EVin |
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin |
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT |
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
PSC-LN偏振扰频器与PSW-LN-0.1偏振开关图纸与引脚：
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端口 |
功能 |
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IN |
光输入端口 |
|
OUT |
光输出端口 |
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RF |
射频输入端口 |
IN，OUT：保偏1550纳米光纤，康宁PM 15-U40D，长度：1.5米，缓冲层直径：900微米。OUT：单模光纤，SMF-28，长度：1.5米，缓冲层直径：900微米。RF：MX-LN-0.1/5/10：K型母头（兼容SMA）。
