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BATOP反射镜,低温砷化镓,外延生长

BATOP反射镜,低温砷化镓,外延生长

BATOP提供宽带镀金膜反射镜,AlAs / GaAs布拉格反射镜,900nm长通滤光片和LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制。这些反射镜和滤光片尺寸通常只有1.3mmx 1.3mm~4.0mmx 4.0mm,却拥有光滑的表面,良好的导热率。它们通常以砷化镓(GaAs)晶体为基底,能被切成小块矩形镜片,也可定制按需求尺寸。

所属品牌: BATOP

产品介绍


 

宽带镀金膜反射镜:

如果需要尺寸仅为几mm的非常小的宽带镜,那么镀金的GaAs芯片是合适的。 作为反射金层的基板的单晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /m * K)的良好导热率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。镀金膜反射镜可用作波长> 800 nm的宽带反射器。随着波长的增加,反射率还会不断增加。BATOP提供未安装的金镜,标准基板厚度为450μm

 



德国BATOP公司的单晶砷化镓基底产品主要分为:宽带镀金膜反射镜,AlAs / GaAs布拉格反射镜,900nm长通滤光片。

BATOP还可以在砷化镓基底上提供生长AlAsGaAsInAsAlGaAsAlInAs  InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层。如果需要尺寸只有几毫米的反射镜或长通滤波器,那么可以在单晶砷化镓衬底上生产这种装置。单晶砷化镓的热导率非常好,高达55w / (m * k) ,由于其立方晶体结构,可以被切割成小的矩形晶片。



可用芯片面积:

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根据要求定制尺寸

 

镀金膜反射镜型号:

型号

规格

价格

Au-M-4x4

 Thin gold film on single crystalline GaAs
 Chip area: 4 mm x 4 mm
 Chip thickness: 450 µm

 70

Au-M-2x2

 Thin gold film on single crystalline GaAs
 Chip area: 2 mm x 2 mm
 Chip thickness: 450 µm

 60

Au-M-1.3x1.3

 Thin gold film on single crystalline GaAs
 Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm
 Chip thickness: 450 µm

 50

 

AlAs / GaAs布拉格反射镜

如果需要尺寸只有几毫米的非常小的高反射率反射镜,那么 GaAs 芯片上的单晶 AlAs / GaAs布拉格反射镜是合适的。单晶砷化镓晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好热导率。方便切割成各种尺寸,海纳光学提供标准基片厚度为450μm的未安装布拉格反射镜

 

可用芯片面积:

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根据要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射镜型号:

型号

规格

价格

B-M-1030nm-4x4

 Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
 Central wavelength λ = 1030 nm
 Chip area: 4 mm x 4 mm
 Chip thickness: 450 µm

 70

B-M-1030nm-2x2


 Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
 Central wavelength λ = 1030 nm
 Chip area: 2 mm x 2 mm
 Chip thickness: 450 µm

 60

B-M-1030nm-1.3x1.3

 Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
 Central wavelength λ = 1030 nm
 Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm
• Chip thickness: 450 µm

 50

 

900nm长通滤波片

长通吸收滤光片是用来去除长波长激光信号中的短波长光(例如剩余的泵浦光)

我们的长通滤波器使用半绝缘砷化镓晶体上的外延半导体吸收层。这种晶圆材料可以根据客户的需要切成长方形的小片。 短波长的光被滤光片吸收,然后转换成热量。为了去除热量,必须使用适当的金属安装件如散热器。BATOP提供标准基片厚度为625μm的未安装长通滤波器。

 

可用芯片区域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm长通滤光片型号:

LPF-900-5x5

LPF-900-4x4

LPF-900-2x2

GaAs衬底上使用900 nm长通滤波片

GaAs衬底上900 nm的长通滤波片

GaAs衬底上的900 nm长通滤波片

阻带λ<880 nm 

阻带λ<880 nm 

阻带λ<880 nm 

通带λ> 950 nm 

通带λ> 950 nm 

通带λ> 950 nm 

芯片面积:5 mm x 5 mm 

芯片面积:4 mm x 4 mm 

芯片面积:2 mm x 2 mm 

芯片厚度:625μ

芯片厚度:625μ

芯片厚度:625μ

 

5.0 mm × 5.0 mm 过滤器用1 / 2"1"铜散热器,或定制尺寸

LPF-900-5x5-12.7gc

LPF-900-5x5-25.4gc

1/2“铜散热片上的900nm长通滤波器

1英寸铜散热片上的长通滤波器900nm

芯片面积5mmx 5mm

芯片面积5mmx 5mm

散热片外径12.7mm

散热片外径25.4mm

中心孔直径4mm的散热片

中心孔直径4 mm的散热片

安装方法:胶合

安装方法:胶合

 

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

BATOP可在砷化镓基底上提供生长 AlAsGaAsInAsAlGaAsAlInAs  InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层,用于 GaAs 晶片的不同应用。某些应用需要快速时间响应器件,如光学探测器、饱和吸收器或光电导天线。我们提供低温外延的生长设备,响应时间约为1 psBATOP提供的GaAs衬底上生长的一个或两个单层的砷化镓。

 

参数:

GaAs(砷化镓)晶圆直径: 2"4"

最大膜层厚度: 5μm

价格

2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圆: 2000欧元

4"(100mm) LT-GaAs 晶圆片: 3500欧元

4"(100mm) LT-InGaAs 晶圆: 4000欧元

4"(100mm) LT-GaAs 晶片,定制金属结构: 7000欧元

 

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