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EOT光电二极管探测器

EOT光电二极管探测器

EOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器、 EOT光电二极管探测器、近红外硅基二极管光电探测器、硅光电探测器、近红外硅光电探测器、硅基光电探测器、硅基二极管光电探测器等等。组件包含PIN光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。带宽<10GHz,占地面积小、内部电压偏置、直流至2GHz,可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。

所属品牌: 美国EOT

产品介绍


EOT光电探测器带宽<10GHz,体积小、内部电压偏置、直流至 2GHz


 EOT硅光电二极管探测器包含PIN光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流,带宽<10GHzEOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器EOT光电二极管探测器近红外硅基二极管光电探测器硅光电探测器近红外硅光电探测器硅基光电探测器硅基二极管光电探测器等等。

EOT硅光电二极管探测器端接到示波器的50Ω电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当EOT硅光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时,可以测量激光的频率响应。

EOT光电二极管探测器中,<10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器,可以在示波器或频谱分析仪处接50Ω就可以了。

带宽这个物理量非常重要,如果不作具体说明的话,一般指的两个。一个是光探测器的工作波长,俗称工作带宽,比如工作带宽600-1700nm;还有一个是指测试脉冲光信号时,脉冲信号的重复频率,比如10G光探测器,20G光探测器,1G光探测器等。

近红外硅基二极管光电探测器的上升/下降时间300ps(典型),影响度0.47A/W@830nm,电源要求直流,带宽>2GHz、暗电流<0.1nA、噪声<0.01pW/Hz,输出连接器BNC

典型包含可见光、近红外硅光电探测器的响应度如下:


EOT光电探测器规格

产品系列

ET-2060

ET-2060

ET-2060

ET-2070

ET-3000-

ET-3010

光电探测器型号

120-10011-0001

(ET-2030)

120-10028-0001

(ET-2040)

120-10133-0001

(ET-2060)

120-10134-0001

(ET-2070)

120-10034-0001

(ET-3000)

120-10050-0001

(ET-3010)a

探测器材料

Silicon

InGaAs

上升/下降时间

<300ps/<300ps

<30ns/<30ns

<320ps/<320ps

3ns/3ns

<175ps/<175ps

<175ps/<175ps

响应度

0.47A/W

@830nm

0.6A/W

@830nm

0.47A/

W@830nm

0.56A/W

@830nm

0.9A/W

@1300nm

0.9A/W

@1300nm

电源要求

9VDC

24VDC

9VDC

24VDC

6VDC

6VDC

带宽

>1.2GHz

>25MHz

>1.1GHz

>118MHz

>2GHz

>2GHz

有效面积直径

0.4mm

4.57mm

0.4mm

2.55mm

100μm

100μm

暗电流

<0.1nA

<10nA

<0.1nA

<10nA

<2.0nA

<3.0nA

接受角(1/2角)

10°

60°

---

50°

20

---

噪声等效功率

<0.01pW/√Hz

0.09pW/√Hz

<0.01pW/√Hz

<0.10pW/√Hz

<0.03pW/√Hz

0.03pW/√Hz

最大线性额定值

连续电流3mA

脉冲电流:3mA

连续电流:2mA

可选输入:3mW

连续电流:3mA

可选输入:3mA

连续电流:2.5mA

脉冲电流:15mA

连续电流5mA

连续电流:5mA

安装(螺纹孔)

8-32orM4

8-32orM4

8-32orM4

8-32orM4

8-32orM4

8-32orM4

输出连接器

BNC


EOT硅光电探测器特点:

-占地面积小

-内部电压偏置

-带宽<10GHz

-直流至 2 GHz

-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项


EOT光电二极管探测器应用:

-监控调Q激光器的输出

-监控锁模激光器的输出










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