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Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应,从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。是电子检测的理想选择。

所属品牌: Opto diode

产品介绍

Opto Diode光电二极管阵列22针双列式封装,电子检测的理想选择


Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器,以紧凑的封装提供AXUVSXUVUVGNXIR系列的所有优点

Opto Diode光电二极管阵列有两种型号,采用40针双列式封装或者22针双列式封装,是电子检测的理想选择。有保护性盖板,以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应,从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W


光电二极管阵列有效面积分别是3mm²10mm²,AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列,AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C,在氮气和真空下温度是-20°C~80°C,引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸,持续10秒。发货时带有临时盖子,以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前,请查看应用说明 "AXUVSXUVUVG检测器的处理注意事项"


Opto Diode光电二极管阵列型号

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

AXUV16ELG

ODD-AXU-023

16元件光电二极管阵列,是电子检测的理想选择

10

AXUV20ELG

ODD-AXU-033

20元件光电二极管阵列是电子检测的理想选择

3

AXUV20ELG光电探测器阵列的特点

- 22针双列式封装

- 是电子检测的理想选择

- 保护性盖板3    

AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下,有效面积的典型值是3mm²,灵敏度见图,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V,最小值是20V。VR=0V时,电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。


引脚

连接

引脚

连接

1,12

公共阳极

13

阴极元件

不适用

阴极元件1

14

阴极元件18

2

阴极元件3

15

阴极元件16

3

阴极元件5

16

阴极元件14

4

阴极元件7

17

阴极元件12

5

阴极元件9

18

阴极元件10

6

阴极元件11

19

阴极元件8

7

阴极元件13

20

阴极元件6

8

阴极元件15

21

阴极元件4

9

阴极元件17

22

阴极元件2

10

阴极元件19

不适用

阴极元件22

11

阴极元件21

 



AXUV16ELG光电二极管阵列的特点

- 40针双列式封装

- 是电子检测的理想选择

- 保护性盖板

25°C时的电光特性

AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下,有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25VVR=0V时,电容的典型值是700pF,最大值是2000PfVR=0V测试条件下,上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。






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