Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。是电子检测的理想选择。

所属品牌： Opto diode

产品介绍

Opto Diode光电二极管阵列，22针双列式封装，电子检测的理想选择

Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器，以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点

Opto Diode光电二极管阵列有两种型号，采用40针双列式封装或者22针双列式封装，是电子检测的理想选择。有保护性盖板，以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。

光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²，AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前，请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。

Opto Diode光电二极管阵列型号

型号	零件编号	描述	有效面积mm²
AXUV16ELG	ODD-AXU-023	16元件光电二极管阵列，是电子检测的理想选择	10
AXUV20ELG	ODD-AXU-033	20元件光电二极管阵列是电子检测的理想选择	3

AXUV20ELG光电探测器阵列的特点

- 22针双列式封装

- 是电子检测的理想选择

- 保护性盖板3

AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下，有效面积的典型值是3mm²，灵敏度见图，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V，最小值是20V。VR=0V时，电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。

引脚	连接	引脚	连接
1,12	公共阳极	13	阴极元件
不适用	阴极元件1	14	阴极元件18
2	阴极元件3	15	阴极元件16
3	阴极元件5	16	阴极元件14
4	阴极元件7	17	阴极元件12
5	阴极元件9	18	阴极元件10
6	阴极元件11	19	阴极元件8
7	阴极元件13	20	阴极元件6
8	阴极元件15	21	阴极元件4
9	阴极元件17	22	阴极元件2
10	阴极元件19	不适用	阴极元件22
11	阴极元件21

AXUV16ELG光电二极管阵列的特点

- 40针双列式封装

- 是电子检测的理想选择

- 保护性盖板

在25°C时的电光特性

AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下，有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时，电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。

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