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OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管

OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管

美国OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管有AXUV100TF030光敏二极管、AXUV100TF400光敏二极管和SXUV100TF135光敏二极管三个型号。OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²,检测范围是1-80nm。

所属品牌: Opto diode

产品介绍

OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管


OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管的型号

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

响应率(A/W

波长(nm

检测范围(nm

AXUV100TF030

ODD-AXU-019

带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管

100

0.16

3

1-12

AXUV100TF400

ODD-AXU-002

带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管

100

0.15

40

18-80

SXUV100TF135

ODD-SXU-013

带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管

100

0.09

13.5

12-18


AXUV100TF400光敏二极管的特点

- 100平方毫米的有效面积

- 波长40纳米灵敏度为0.15 A/W

- 检测范围:18纳米至80纳米

- 发货时带有保护罩  

AXUV100TF400光敏二极管10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在40nm波长下灵敏度典型值是0.15A/W。当VR为±10mV时,分流电阻最小值为20欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。VR=0V时,电容的典型值是10nF,最大值是44nF。



AXUV100TF030光敏二极管的特点

- 100平方毫米的有效面积

- 3纳米处的灵敏度为0.16 A/W

- 检测范围:1纳米至12纳米

- 发货时带有保护罩


AXUV100TF030光敏二极管在25°C时的电光特性如下。 在10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在3nm波长下灵敏度典型值是0.16A/W。当VR±10mV时,分流电阻最小值为20欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10VVR=0V时,电容的典型值是10nF,最大值是44nF

从典型的灵敏度图可以看到从波长5nm开始灵敏度随着波长的增加而减小。


SXUV100TF135光敏二极管的特点

- 100平方毫米的有效面积

- 在13.5纳米处灵敏度为0.09 A/W

- 探测范围12纳米至18纳米

- 发货时带有保护罩


SXUV100TF135光敏二极管在10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在13.5nm波长下灵敏度最小值是0.08A/W,典型值是0.09A/W,最大值0.1A/W。当VR=15V时,暗电流典型值是8nA,最大值是25nA。当IR=1µA时,反向击穿电压最小值是25VVR=0V时,电容的最小值是0.8nF,典型值是1nF,最大值是1.2nFVR=12V时,电容的最小值是220pF,典型值是260pF,最大值是350pF。当RL=50Ω, VR=12V时,上升时间的典型值是30纳秒。从波长与灵敏度的关系图中可以看到在集成滤光片在13.5nm波长后灵敏度的值是下降的。


OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管的存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C,在氮气或真空是-20°C至80°C,引线焊接温度是260°C。

OptoDiode生产集成薄膜滤光片,用于检测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。美国OptoDiode还生产光学滤光片窗口、日光滤光片和多波长封装组件。

OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管检测范围是1-80nm,有效面积是100mm²,发货时带有保护罩,可以避免元件受损。美国集成薄膜滤光片的光电二极管用于电子检测,电压直流反向最大值10伏,灵敏度0.09-0.15A/W,波长范围是3-40nm。OptoDiode滤光片光电二极管采用薄膜沉积工艺。


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