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OptoDiode分段探测器

OptoDiode分段探测器

美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器是电子检测最理想的选择,分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm。

所属品牌: Opto diode

产品介绍


美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器,AXUVPS7SXUVPS4SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C,在氮气或真空是-20°C80°C,引线焊接温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080",持续10秒。发货时带有临时盖子,以保护光电二极管和导线连接。在拆除盖子之前,请查看OptoDiode"IRD检测器的处理注意事项"。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好,噪音低,是电子检测的理想选择。


OptoDiode分段光电二极管型号

常见的基板分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择,提供双节电池或四节电池配置。

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

AXUVPS7

ODD-AXU-096

四光二极管是电子检测的理想选择

36.5

ODD-3W-2

ODD-632-007

红色增强型3.1mm²双电池光电二极管

3

SXUVPS4

ODD-SXU-013

象限紫外线增强光电二极管

5

SXUVPS4C

ODD-SXU-023

象限紫外线增强光电二极管

5


AXUVPS7分段光电二极管的特点

- 是电子检测的理想选择

- 圆形有效区域


AXUVPS7分段光电二极管在25°C时的电光特性,有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的最小值是0.07A/W,典型值是0.08A/W,最大值是0.09A/W。当VR±10mV时,分流电阻最小值为10欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压最小值是5VVR=0V时,电容的典型值是2nF,最大值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω,上升时间最大值是2微秒。


ODD-3W-2分段光电二极管的特点

- 红色增强型

- 低噪音

- 高响应

- 高分流电阻

- 扁平的TO-5封装    

VR=5 V测试条件下,暗电流典型值是0.9na,最大值是5naVR=10 mV, 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz,结点电阻是30pF,当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时,反应性最小值是0.32A/W,典型值是0.36A/W,当λ=900nm, VR=0V时,反应性最小值是0.5A/W,典型值是0.6A/W。当IR=10μA,击穿电压最小值是25V,典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时,噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V,上升时间典型值为190纳秒,当RL=50Ω, VR=10V,上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。

存储温度为-55°C~150°C,工作温度为-40°C~125°C,引线焊接温度是260°C


SXUVPS4分段二极管的特点

- 圆形有效区域(4个象限)

- TO-5,5引脚封装

R.049(1.25mm)测试条件下,SXUVPS4分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²。当VR为±10mV时,分流电阻最小值为100欧姆,当IR=1µA时,反向击穿电压最小值是20VVR=0V时,电容的最大值是500pF。当VR=0V, RL=500Ω,上升时间最大值是1微秒。存储和工作温度与AXUVPS7分段光电二极管相同。


SXUVPS4C分段光电二极管

TO-5,5引脚封装,SXUVPS4C分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²,在波长254nm时,响应性是0.02A/WVR=±18V,暗电流典型值是1nA,最大值是100nA。当R=1µA时,反向击穿电压最小值是20VVR=0V,电容典型值是100pF,最大值是300PfVR=0V时,上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系,暗电流与电压是正比的关系。






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