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脉冲型红外发射二极管

脉冲型红外发射二极管

Opto Diode生产的脉冲型红外发射二极管设计成作为黑体辐射的脉冲发射源。脉冲辐射源的辐射元件是一个超薄的特别配置的金属箔片,这种设置的目的是使被加热的箔片两侧发出的辐射都能高效地沿光轴从封装里发出。

所属品牌: Optogama

产品介绍

Optodiode脉冲型红外发射二极管准黑体


Opto Diode生产五个系列的红外发射器,用于各种医疗和工业领域,包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制。从稳态(直流电)发射器(SA系列)到大功率稳态发射器(SHA系列),再到黑体辐射脉冲型准黑体红外发射器(SVF系列)和黑体辐射快速脉冲光源(SPF系列),到带有集成驱动电子元件的高速红外发射器(PIREPLUS)。本篇会对SVF系列脉冲型红外发射光源进行简要说明。

脉冲型红外发射器SVF系列


标准的脉冲型SVF系列红外发射器被用来作为黑体辐射的脉冲光源。薄金属箔片采用TO5和TO8封装,窗口材料选用蓝宝石或者氟化钙,发射率典型值0.88。

模型型号

零件型号

描述

窗口材质

辐射率

SVF230-5M2

40103

TO5封装的标准的脉冲发射源230

蓝宝石

0.88

SVF230-5M3

40104

TO5封装的标准的脉冲发射源230

氟化钙

0.88

SVF350-5M2

40106

TO5封装的标准的脉冲发射源350

蓝宝石

0.88

SVF350-5M3

40107

TO5封装的标准的脉冲发射源350

氟化钙

0.88

SVF350-8M3

40172

TO8封装的标准的脉冲发射源350

氟化钙

0.88

SVF360-8M2

40432

TO8封装的标准的脉冲发射源360

蓝宝石

0.88

SVF360-8M3

40110

TO8封装的标准的脉冲发射源360

氟化钙

0.88

SVF系列脉冲型红外发射源关键特点

-黑体辐射的脉冲型发射源,红外激光二极管

-在光谱范围内可近似看作准黑体

-超薄的金属箔片作为激励元件

-利用抛物面反射镜得到均匀且准直的出射光

-发射率典型值0.88


脉冲型红外发射器-SVF系列

Opto Diode公司的SVF系列红外发射源被设计成作为黑体辐射的脉冲发射源。脉冲辐射源的辐射元件是一个超薄的特别配置的金属箔片,这种设置的目的是使被加热的箔片两侧发出的辐射都能高效地沿光轴从封装里发出。用作箔片的材料地发射率典型值为0.88,在光谱分布中可以近似看作一个黑体。SVF系列发射源工作时的箔片的额定温度为1000K。标准的SVF系列发射源可以提供多种厚度和宽度的箔片选择,配置TO5TO8的封装。提供几种标准窗口材料的选择,可根据特定波长范围定制输出。SVF系列发射源提供了多种反射面选择。比如积分反射器。标准的抛物面反射器可以得到近似准直和均匀的输出,各种不同焦距的椭圆反射器也可用于光纤耦合或用在其他应用中。


脉冲型红外发射器-SVF系列驱动电路

开关元件例如IRF350,是一个400V的单N沟道场效应管,具有非常低的导通电阻以及高跨导,优秀的反向能量与合适的半导体反向恢复电压变化速率。


脉冲型红外发射器-SVF系列寿命

所有标准的发射源在额定功率输入下都具有超过30000小时平均初次出故障时间。在超过额定功率输入下工作会明显降低使用寿命。

黑体辐射率曲线

SVF系列发射器在特定工作温度下近似于黑体源。如图显示不同温度下理想黑体功率密度曲线的参考图,温度单位为K


SVF系列TO5封装

伏安特性曲线


如图所示是伏安特性曲线。额定功率工作时的温度为1000K,超过这个值就会导致温度升高,使用寿命降低。

调制深度与频率曲线


功率密度沿角度的分布曲线


功率密度随辐射偏移角度的变化曲线,0°是中心轴线方向,此处功率密度达到最高值;随偏离角度增大,功率密度也随之逐渐降低。

功率密度沿轴向分布曲线


功率密度沿轴向传播,随距离变化关系,传播距离越远,功率密度越小。

SVF系列TO8封装

伏安特性曲线


如图所示是伏安特性曲线。额定功率工作时的温度为1000K,超过这个值就会导致温度升高,减少元件使用寿命

调制深度与频率关系


功率密度沿角度的分布曲线


功率密度随辐射偏移角度的变化曲线,0°是中心轴线方向,此处功率密度达到最高值;随偏离角度增大,功率密度也随之逐渐降低。

功率密度沿轴向分布曲线


功率密度沿轴向传播,随距离变化关系,传播距离越远,功率密度越小。

窗口材料传输光谱













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