中科光学,飞秒激光镜片,激光晶体,微透镜阵列,隔震台,蜂窝光学平台,光谱仪,显微镜激光器,显微镜平台,光束轮廓仪,Marzhauser 联系我们
产品中心
光电二极管(探测器) 首页 > 产品中心 > 光电二极管(探测器)
Opto Diode可见光增强型探测器

Opto Diode可见光增强型探测器

Opto Diode可见光增强型探测器波长范围在400-740nm之间,也可以称之为400-740nm光电探测器。Opto Diode光电二极管具有低电容低暗电流等特点,红色和蓝色增强型光电二极管采用TO-5、TO-8、TO-18封装。红蓝增强型探测器是硅光电二极管或者增强型光电二极管。

所属品牌: Opto diode

产品介绍

Opto Diode可见光增强型探测器低电容,400-740nm


Opto Diode提供高质量的标准和定制的可见光谱硅光电二极管。我们有各种各样低暗电流和低电容的器件。400-740nm光电探测器可以在400-740nm之间的响应,我们生产的红蓝增强型探测器适用于许多应用。对于大批量的需求,您可以直接找我们订购。

Opto Diode光电二极管存储和操作温度范围为-55°C100°C,最高结点温度100°C,引线焊接温度260°COpto Diode可见光增强型探测器总共有14个型号,有效面积为1~42mm²,用三种方式进行密封包装,这三种方式分别是TO-5TO-8TO-18Opto Diode可见光增强型探测器有低暗电流、低电容、圆形有效区域、芯片尺寸可以优化等特点,优化的芯片尺寸可以获得最大的信号。

Opto Diode可见光增强型探测器是增强型光电二极管,红色增强型光电二极管标准品的波长为632nm,蓝色增强型光电二极管标准品的波长为450nm。对于红蓝增强型探测器的其他波长可以找我们定制,蓝色增强型探测器波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。红色增强型探测器波长为632nm时最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W


Opto Diode光电二极管型号:

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

ODD-1

ODD-632-001

TO-18封装的红色增强型光电二极管

1

ODD-1B

ODD-450-001

蓝色增强型光电二极管,TO-18封装

1

ODD-1W

ODD-632-008

TO-18封装的红色增强型光电二极管

1

ODD-1WB

ODD-450-007

蓝色增强型光电二极管,TO-18封装

1

ODD-12W

ODD-632-004

红色增强型光电二极管,TO-8密封包装

12

ODD-12WB

ODD-450-004

蓝色增强型光电二极管,TO-8密封包装

12

ODD-15W

ODD-632-005

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

15.8

ODD-15WB

ODD-450-005

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

15.8

ODD-42W

ODD-632-006

红色增强型光电二极管,TO-8密封包装

42

ODD-42WB

ODD-450-006

蓝色增强型光电二极管,TO-8密封包装

42

ODD-5W

ODD-632-002

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WB

ODD-450-002

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WBISOL

ODD-450-003

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WISOL

ODD-632-003

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5



ODD-42W、ODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

在9.91mmx4.28mm测试条件下,活动区域的典型值是42mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是11nA,最大值是25nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-42W和ODD-42WB只有灵敏度不一样,ODD-42W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W,ODD-42WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。

ODD-42W、ODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

在9.91mmx4.28mm测试条件下,活动区域的典型值是42mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是11nA,最大值是25nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-42W和ODD-42WB只有灵敏度不一样,ODD-42W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W,ODD-42WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。


ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB25°时的光电特性

TO-18封装、低成本格式、低暗电流、低电容。

活动区域是1.35mmx0.76mm, 活动区域的典型值是1mm²。VR=10V时暗电流的典型值是0.2nA,最大值是1nA。当电阻的电流为IR=10µA时,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60VVR=10V测试条件下,上升时间典型值为8纳秒,最大值是15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为25欧姆,最大值是60欧姆。ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB的特点一样,除了灵敏度和电容不一样。ODD-1BODD-1WB450nm的波长下灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.5pFODD-1ODD-1W632的波长下灵敏度最小值是0.36A/W,典型值是0.40 A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.2pF


ODD-12WODD-12WB(红蓝增强型探测器)在25°时的光电特性

TO-8密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为4mm测试条件下,活动区域的典型值是12mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是3nA,最大值是7nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是25pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-12WODD-12WB除了灵敏度不一样,其他都一样,ODD-12W632nm的波长下灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/WODD-12WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W


ODD-15WODD-15WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-5密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

6.27mmx2.52mm测试条件下,活动区域的典型值是15.8mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是4nA,最大值是10nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是30pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为20纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-15WODD-15WB的特点一样,除了波长的灵敏度不一样,ODD-15W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/WODD-15WB波长是450nm, 灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W




ODD-1型号光电特性图

从电容与偏置电压图中可以看到电容与偏置电压成反比,电容随着偏置电压的增大而减小。从典型的光谱响应图中可以看到灵敏度随着波长增加而变大,当波长达到980nm左右,灵敏度达到最大值。当达到最大值后,灵敏度会随着波长增加而减小。从暗电流与电容关系图中,可以看到暗电流随着电压的增大而增加。想知道更多型号的光电特性图,可以联系我们。








相关产品
可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用,有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管,本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。

查看详细
InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外传感器具有以下特点:热释电红外传感器的四组光谱范围可选,可调波长红外热释电传感器的光谱分辨率λ/Δλ可达60,InfraTec可调波长红外热释电探测器采用静电驱动波长调节,位置变化和温度变化的主动补偿,电流模式,热补偿。

查看详细
多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

InfraTec多色红外传感器作为在气体检测和火情探测的应用方面具有广泛的应用。多波长红外热释电探测器以其优异的特性和能力为工业检测领域提供了重要的支持。

查看详细
InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

红外热释电探测器具有如下特点:特殊红外传感器具有快速响应,增热释电红外传感器具有益提高和/或高调制频率,红外热释电传感器具有高性能光电转化效率,特殊热释电传感器具有可选快速响应时间,特殊热释电探测器可选大面积灵敏元,可选金黑涂层,具有均匀光谱响应。

查看详细
友情链接: 光电二极管(探测器) 光学镜片 激光晶体 光学平台及光机械 光学仪器 光学配件 激光光束测量仪器 激光器及附件 微透镜 衍射元件 太赫兹产品

扫一扫,立即咨询

工作日在线