Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V，功率耗散15mW，存储和操作温度-25°C至+100°C，焊接温度（距外壳1/16英寸，最长3秒）+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极，电压最低5V到最高15V。
所属品牌： Opto diode
光电二极管利用光电集成，提供具有各种增益和带宽的标准和定制放大器混合。光电探测器集成了TIA、后置放大器、热电冷却器、光源和诊断电子设备。
Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V，功率耗散15mW，存储和操作温度-25°C至+100°C，焊接温度（距外壳1/16英寸，最长3秒）+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极，电压最低5V到最高15V。
Optodiode集成放大器混合光电二极管具有高灵敏度、低噪音、有效面积大等特点，因此又可以叫高灵敏度光电二极管、低噪音光电二极管。Optodiode集成放大器光电二极管采用TO-39密封封装，可定制增益，光谱范围是400-1100nm。
Optodiode集成放大器光电探测器有效面积是6mm²，颜色有红色增强型和蓝色增强型。Optodiode集成放大器混合光电二极管有ODA-6W-100M、ODA-6W-500M、ODA-6WB-100M、ODA-6WB-500M四个型号，有950nm和450nm两种波长。
Optodiode集成放大器光电二极管型号
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型号 |
零件编号 |
描述 |
有效面积mm² |
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ODA-6W-100M |
ODA-940-002 |
NIR/红色增强型光电二极管和前置放大器光电二极管 |
6 |
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ODA-6W-500M |
ODA-940-001 |
NIR/红色增强型光电二极管和前置放大器光电二极管 |
6 |
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ODA-6WB-100M |
ODA-450-005 |
蓝色/绿色增强型光电二极管和前置放大器光电二极管 |
6 |
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ODA-6WB-500M |
ODA-450-001 |
蓝色/绿色增强型光电二极管和前置放大器光电二极管 |
6 |
ODA-6W-100M集成放大器光电探测器的特点
-大面积有效区域
-低噪音
-高敏感度
-可定制增益
-密封的TO-39封装
25°C时的电光特性，在3.30mmx1.78mm测试条件下，有效面积的典型值是5.87mm²。当Vs=±5V，暗偏移典型值是1.2mV，最大值是±2mV。Vs=±5 ,BW=0.1~1000kHz，暗偏移噪声典型值是198µVrms，最大值是250µVrms。Vs=±5V，λ=940nm,灵敏度最小值是55V/µW，典型值是63V/µW。光谱范围400纳米~1100纳米。Vs=±5V，频率响应最小值为900HZ，典型值是1000Hz。NEP是灵敏度的量化，最小可探测量和NEP都是对灵敏度的描述，从单位看可理解为时域和频域。λ=940nm，NEP的典型值是30fW/√Hz。跨阻增益100MΩ，电源电流的典型值是850μA，最大值是950μA。
典型的光谱响应
ODA-6WB-100M的特点
-大活动区域
-低噪音
-高灵敏度
-提供定制增益
-TO-39封装
-蓝色增强型光电探测器
ODA-6WB-100M除了波长灵敏度和NEP与ODA-6W-100M不一样，其它方面都一样。ODA-6WB-100M波长是450nm，Vs=±5V，λ=450nm，灵敏度最小值是17V/µW，典型值是20V/µW。λ=450nm，NEP典型值是85fW/√Hz。
典型的光谱响应
ODA-6W-500M高灵敏度光电二极管的特点
-大活动区域
-低噪音
-高灵敏度
-提供定制增益
-TO-39封装
在3.30mmx1.78mm测试条件下，有效面积的典型值是5.87mm²。当Vs=±5V，暗偏移典型值是1mV，最大值是±2mV。Vs=±5V ,BW=0.1~135kHz，暗偏移噪声典型值是283µVrms，最大值是500µVrms。Vs=±5V，λ=940nm,灵敏度最小值是275V/µW，典型值是315V/µW。Vs=±5V，频率响应最小值为100HZ，典型值是130Hz。λ=940nm，NEP的典型值是1.2fW/√Hz。跨阻增益500MΩ，电源电流的典型值是850μA，最大值是950μA。典型的光谱响应图和ODA-6W-100M一样。
ODA-6WB-500M低噪音光电二极管的特点
-大活动区域
-低噪音
-高灵敏度
-提供定制增益
-TO-39封装
ODA-6WB-500M除了波长灵敏度和NEP与ODA-6W-500M不一样，其它方面都一样。ODA-6WB-500M波长是450nm，Vs=±5V，λ=450nm，灵敏度最小值是85V/µW，典型值是100V/µW。λ=450nm，NEP典型值是4fW/√Hz。典型的光谱响应和ODA-6WB-100M一样。
国产高增益APD,雪崩光电二极管
硅雪崩光电二极管总共有四个型号，C58012-01、C58012-02、C5803-01和C5803-02，增强型雪崩光电二极管波长范围是400-1000nm，光敏面直径0.5mm，国产高增益APD增益最大是100M。
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近红外LED芯片
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温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器，用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸，可轻松适应印刷电路板上的可用空间。
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