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Optodiode近红外LED

Optodiode近红外LED

Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型,因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用,中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角覆盖大面积。

所属品牌: Opto diode

产品介绍

Optodiode广角近红外发光二极管耐辐射性高


近红外发光二极管(IRLED)采用宽、中或窄输出模式制造,采用坚固的气密密封封装。金属外壳是最佳散热的理想选择,工作温度范围为 -65°C +150°C。光电二极管的IRLED提供广泛的线性功率输出,并提供高速等级。

Optodiode近红外发光二极管有窄角、中角、广角三种类型,窄角近红外发光二极管半强度光束角是8°,中角近红外发光二极管半强度光束角是35°、广角半强度光束角是80°,不同角度的近红外发光二极管输出功率不一样。


窄角、中角、广角三种类型近红外发光二极管的区别

OD-850F窄角近红外发光二极管工作温度-40°C-100°C,视角8°,波长850nm,电流直流最大值100mA,正向电压典型值1.6V。

OD-850F窄角近红外发光二极管具有高光输出、850nm峰值发射、密封TO-46封装、窄角近红外发光二极管适合长距离应用等特点。

OD-850F窄角近红外发光二极管在IF=100mA时,总功率输出最小值是22mW,典型值是30mW。IF=20mA,峰值发射波长850nm,光谱带宽在50%典型值是40nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.6V,最大值2V。IR=10μA,反向击穿电压最小值是5V,典型值30V。IFP=50mA,上升与下降时间都是20纳秒。

OD-850F窄角近红外发光二极管参数单位:功耗200mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs,200Hz)300mA,反向电压5V,引线焊接温度260°C。

OD-850F窄角近红外发光二极管存储和工作温度范围-40°C至100°C,最高结温100°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W。

OD-850L中角、OD-850W广角除了输出功率和角度与OD-850F窄角不一样,其他参数都一样。在IF=100mA时,OD-850L总功率输出最小值是25mW,典型值是35mW,半强度光束角是35°。在IF=100mA时,OD-850W总功率输出最小值是30mW,典型值是40mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT除了输出功率、角度和工作温度与OD-850F不一样,其他参数都一样。OD-850FHT总功率输出最小值是17mW,典型值是22mW,半强度光束角是8°;OD-850WHT输出功率典型值是26mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°;OD-850LHT总功率输出最小值是18mW,典型值是22mW,半强度光束角是35°。OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT存储和工作温度范围-65°C至150°C,最高结温150°C。




Optodiode近红外LED采用TO-46密封封装,具有高光输出,耐辐射性高等特点。窄角近红外发光二极管适合长距离应用,中角近红外发光二极管发射角中等可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角近红外发光二极管发射角度广,覆盖大面积。Optodiode近红外发光二极管有810nm850nm两种波长。


Optodiode近红外发光二极管的型号

型号

零件号

描述

输出功率

OD-800F

OD-810-005

高辐射抗辐射窄角红外810nm发射器

3mW

OD-800L

OD-810-003

高辐射抗辐射中角红外810nm发射器

3mW

OD-800W

OD-810-002

高辐射抗辐射广角红外810nm发射器

3mW

OD-850F

OD-850-004

窄角TO-46 850nm发射器

30mW

OD-850FHT

OD-850-010

窄角TO-46 850nm发射器,高温

22mW

OD-850L

OD-850-003

中角TO-46 850nm发射器

35mW

OD-850LHT

OD-850-009

中角TO-46 850nm发射器,高温

25.5mW

OD-850W

OD-850-002

广角TO-46 850nm发射器

40mW

OD-850WHT

OD-850-008

广角TO-46 850nm发射器,高温

27.5mW

Optodiode近红外LEDOD-800F型号特征

• 高光输出、810nm峰值发射、密封金属TO-46封装、窄角度,

适合长距离应用、耐辐射性高、优异的功率衰减特性、快速响应、提供 MIL-S-19500 筛查、无内部涂层

IF=100mA时,总功率输出最小值是1.5mW,典型值是3mWIF=50mA,峰值发射波长810nm,光谱带宽在50%典型值是50nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.45V,最大值1.8VIR=10μA,反向击穿电压最小值是3V,典型值4VVR=0V,电容典型值是150pF。上升与下降时间都是60纳秒。

参数单位:功耗180mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs150Hz3A,反向电压3V,引线焊接温度240°C

存储和工作温度范围-65°C150°C,最高结温150°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W

OD-800L、OD-800WOD-800F型号参数差不多,除了角度不一样,IF=50mAOD-800L半强度光束角是35°,OD-800W半强度光束角是80°。



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