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Inphenix垂直腔面发射激光器

Inphenix垂直腔面发射激光器

VCSEL垂直腔面发射激光器发射波长包括940nm和905nm两种,主要应用于激光雷达和3D传感。VCSEL阵列特点是高峰值输出功率,可定制多个阵列大小。

所属品牌:

产品介绍

VCSEL垂直腔面发射激光器应用于激光雷达3D传感



Inphenix垂直腔面发射激光器阵列:          

我们可以根据客户的需求定制多阵列大小。

中心波长

光谱宽度

输出功率

孔距

阵列大小

零件号

905nm

<10nm

35W

122x122μm

2440x2430μm

IPVSC0901

940nm

<10nm

35W

122x122μm

2440x2430μm

IPVSC0902


905nmVCSEL阵列芯片和940nmVCSEL阵列芯片特点相同,都是应用于激光雷达和3D传感器。

IPVSC0901最小波长是895nm,中心波长是905nm,最大波长是915nm,在3dB,功率25W条件下光谱宽度小于10nm。VCSEL芯片阵列在低占空比<1%的窄脉冲(100ns)驱动时,峰值输出功率最小值是25W,典型值是35W。脉冲工作电流30A,脉冲工作电压是60V,上升时间跟下降时间都是2ns。在3dB下光束发散角是20°,最大值是30°,有效孔径是122x122μm,阵列大小是2440x2430μm,可定制多个阵列大小。IPVSC0902和IPVSC0901差不多相同,除了波长不一样。

垂直腔面发射激光器VCSEL已经用于许多不同的应用,主要应用领域是:

-LiDAR系统

-3D扫描仪

-接近传感器

-通信电信

-激光打印机



VCSEL激光器是一种表面发射半导体光源,其在垂直于其顶表面的方向上发射激光束。单个VCSEL的发射孔径非常小,通常直径为十个微米左右,通常情况下它们被分组成2D阵列,这些2D阵列共同产生更高的输出功率水平。

10个关键参数用于表征VCSEL阵列芯片。

波长、输出功率、光谱宽度、光束发散角、发射面积、发射极间距、波长随温度漂移度、E/O转换效率、上升时间/下降时间、工作电流和电压范围。

VCSEL垂直腔面发射激光器发射波长包括940nm905nm两种,主要应用于激光雷达和3D传感。VCSEL阵列特点是高峰值输出功率,可定制多个阵列大小。

美国Inphenix提供大功率VCSEL,适用于激光雷达传感器、多普勒LiDAR系统,强大的定制功能和灵活的制造流程使您能够快速设计和构建独特的LiDAR系统,其性能将超过竞争对手。






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