Amplification近红外离散放大光子探测器

Amplification1550系列5x5近红外光电探测器可实现近红外光谱响应，950nm至1650nm、高速自淬火近红外铟镓砷探测器5x5 Array，专为3D激光雷达应用而设计。

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产品介绍

近红外离散放大光子探测器阵列，5×5阵列，950~1650nm，可稳定温度

NIR阵列式光电探测器主要应用：

1550系列5x5近红外光电探测器系列设计用于激光雷达系统、三维激光雷达成像和环境监测应用。该NIR InGaAs光子探测器阵列针对0.5ns至20ns的激光脉冲长度进行了优化。25个探测器中的每个探测器都分别连接到封装中的专用引脚，在封装的四面都有公共阴极连接。能够连接到25个像素中的任何一个提供了多个级别的灵活性。例如，离散放大InGaAs光子探测器阵列可以连接成四分之一配置或作为单个宽面积探测器。

NIR InGaAs探测器阵列作为50Ω系统的电子放大提供了额外的设计功能灵活性，使用现成的50Ω电子放大。阵列设计为在脉冲检测模式下以恒定偏置运行，以连续模式运行，进一步降低了电气系统设计的复杂性，并提供了许多选项来将Amplification探测器阵列系统与模拟到数字采样系统、帧抓取器等进行集成。

Amplification近红外探测器阵列的规格：

注：下表的近红外铟镓砷探测器阵列规格是在封装环境温度为-45°C时得出的；所有数值均为典型值。

参数	DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch	单位
有效区域尺寸	500 by 500	µm²
有效区域单像素	90 by 90	µm²
像素数	25	-
光子检测效率@1064nm (PDE)¹	15	%
光谱响应范围（λ）	950-1650	nm
单光电子增益 (M)	1x10⁵	-
过量噪声系数	1.05	-
暗计数率（单像素）	4	MHZ
工作偏置	50-70	V
上升时间（10%- 90%）	600	ps
单放大通道恢复时间（-35℃时）	50	ns
绝对最大额定值
损伤阈值	0.5	nJ
工作电流（反向偏置）	50	μA
工作电压	-(V_op+4)²	V

（1）光子检测效率包括后脉冲。

（2）最佳灵敏度的工作偏置V_op由Amplification Technologies测试后提供。

美国Amplification Technologies近红外离散放大光子探测器阵列（DAPD：Discrete Amplification Photon Detector）5×5阵列近红外探测器，具有温度稳定功能。Amplification1550系列5x5近红外光电探测器可实现近红外光谱响应，950nm至1650nm、高速自淬火近红外铟镓砷探测器5x5 Array，专为3D激光雷达应用而设计。DAPDNIR 5x5 Array探测器利用了Amplification Technologies开发和获得专利的突破性离散放大方法，该方法使用多通道放大和单片集成负反馈雪崩机制来放大低电平电信号。离散放大技术具有内部放大功能，可提供非常高的增益（约100,000），这与非常低的过量噪声系数（低于1.05）和快速响应（上升时间快于0.6ns）相结合。这些特性使NIR阵列式光电探测器DAPD能够检测单光子，并优化极低光水平的检测。

离散放大InGaAs光子探测器阵列采用KOVAR材料制成的密封包装，其中包括一个低功率两级热电冷却器（TEC）和一个热敏电阻。该包装允许Amplification探测器在宽环境温度范围内工作，同时使1550系列5x5探测器阵列保持在-50°C的稳定温度，前提是在近红外铟镓砷探测器5x5 Array包装底部进行适当的散热。

近红外铟镓砷探测器阵列的主要特点：

-5×5阵列近红外探测器采用In0.47Ga0.53As吸收器设计，可在950nm至1650nm的宽波长范围内工作

-设计用于在各种环境温度下运行，其中使用低功率两级热电冷却器冷却阵列温度

-针对0.1ns至20ns激光雷达脉冲检测的定制设计，具有高达50MHz的高重复频率

- NIR InGaAs光子探测器阵列具有极佳的偏置电压稳定性

-每光子约75,000电子的高增益，足够高以允许50Ω射频前置放大器；无需进行跨阻抗匹配

-低噪声因子

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