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一维/二维位敏探测器SiTek

一维/二维位敏探测器SiTek

SiTek探测器主要有两种类型:一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作,具有出色的位置分辨率。

所属品牌:

产品介绍

SiTek位敏探测器PSD高分辨率,位置非线性±0.1%和±0.3%

一维/二维位敏探测器SiTek规格数据是在以下条件下测量的:

- 偏压=15V

- 温度23°C

- 位置非线性和热漂移的测量范围为探测器长度的80%

- 热漂移的测量范围为23°C至70°C

- 除非另有说明,否则所有数值均为典型值

- 有关详细数据,请参阅各数据表


一维位敏探测器(1-dimensional PSD)快速参考数据规格表:

- 位置非线性:±0.1%

- 探测器电阻:50kohm

Part.NO

型号

有效面积(mm)

漏电流(nA)

Leakage current

Noise干扰电流pA/Hz

电容(pF)

上升时间(10-90%)(µs)

标准封装

S1-0001

1L2.5_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14针 DIL

S1-0065

1L2.5_CP1

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

4针 DIL

S1-0003

1L5_CP2

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

14针 DIL

S1-0009

1L5_CP1

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

4针 DIL

S1-0005

1L10_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14针 DIL

S1-0236

1L10_SU70

10x2

8

0.4

15

0.2

SMD

S1-0006

1L20_CP3

20x3

60

0.5

45

0.5

22针 DIL

S1-0007

1L30_SU2

30x4

150

0.7

90

1

基底

S1-0247

1L45_SU69

45x3

110

0.4

105

2.7

基底

S1-0248

1L60_SU34

60x3

150

0.4

135

4.5

基底


消除杂散光的SiTek一维PSD:

- 位置非线性:±0.1%

- 探测器电阻:200kohm

Part.NO

型号

有效面积(mm)

漏电流(nA)

Leakage current

Noise干扰电流pA/Hz

电容(pF)

上升时间(10-90%)(µs)

标准封装

S1-0090

1L5NT_CP1

5x0.25

4

0.3

5

0.25

4针 DIL

S1-0066

1L5NT_CP2

5x0.25

4

0.3

5

0.25

14针 DIL

S1-0067

1L10NT_CP2

10x0.5

8

0.3

15

0.7

14针 DIL


带有增强UV响应的SiTek一维位置感应探测器:

Part.NO

型号

有效面积(mm)

漏电流(nA)

Leakage current

Noise干扰电流pA/Hz

电容(pF)

上升时间(10-90%)(µs)

标准封装

S1-0072

1L2.5UV_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14针 DIL

S1-0032

1L5UV_CP2

5x1

4

0.4

5

0.05

14针 DIL

S1-0073

1L10UV_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14针 DIL

S1-0074

1L20UV_CP3

20x3

50

0.5

45

0.5

14针 DIL

S1-0034

1L30UV_SU2

30x4

150

0.5

90

1

基底


瑞典SiTek在生产位置感应探测器方面具有几十年的经验,注重分辨率、线性度和品质,很受客户的青睐。位置感应探测器(Position Sensing Detector, PSD),也叫位置传感器PSD,是一种光电设备,可将入射光点转换为连续的位置数据。一维/二维位敏探测器SiTek具有分辨率高、响应速度快、线性度好的特点,适用于各种光强,而且操作电路简单。

SiTek探测器主要有两种类型:一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作,具有出色的位置分辨率。PSD位敏探测器(一维/二维)分辨率由系统信噪比决定,而且是在偏置模式下工作。另外,SiTek还可提供特殊的紫外UVYAG增强型和核型版本(Nuclear versions)


1PSD位敏探测器(一维/二维)图示


SiTek位敏探测器PSD的特点:

- 将光点或辐射点的位置转换为信号电流

- PSD探测器具备出色的位置分辨率和线性度

- 光谱响应范围广

- 可在各种光照或辐射强度下工作

- 响应时间短

- 同时测量光或辐射强度的位置

- 不受光点或辐射点聚焦的影响

- 动态范围广


SiTek位敏探测器PSD的应用:

- 距离和高度测量

- 校准、位置运动测量和振动研究

- 非接触式距离测量系统(三角测量法)

- 校准和表面水平测量

- 定位和运动测量系统

- 光学光谱分析仪

- 三维机器视觉(轮廓映射)

- 角度测量系统


二维位敏探测器(2-dimensional PSD)快速参考数据规格表:

- 位置非线性:±0.3%

- 探测器电阻:10kohm

Part.NO

型号

有效面积(mm)

漏电流(nA)

Leakage current

Noise干扰电流pA/Hz

电容(pF)

上升时间(10-90%)(µs)

标准封装

S2-0001

2L2_MP1

2x2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0032

2L2_CP4

2x2

50

1.3

7

0.03

4针 陶瓷

S2-0002

2L4_MP1

4x4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0024

2L4_CP5

4x4

50

1.3

20

0.08

4-陶瓷

S2-0184

2L4_SU71

4x4

50

1.3

20

0.08

SMD

S2-0003

2L10_SU7

10x10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0033

2L10_CP6

10x10

100

1.3

90

0.4

4针 陶瓷

S2-0185

2L10_SU72

10x10

100

1.3

90

0.4

SMD

S2-0004

2L20_SU9

20x20

200

1.5

360

1.6

基底

S2-0023

2L20_CP7

20x20

200

1.5

360

1.6

4针 陶瓷

S2-0196

2L45_SU24

45x45

400

1.5

1600

7.0

基底


带有增强UV响应的SiTek二维PSD

Part.NO

型号

有效面积(mm)

漏电流(nA)

Leakage current

Noise干扰电流pA/Hz

电容(pF)

上升时间(10-90%)(µs)

标准封装

S2-0030

2L2UV_MP1

2 x 2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0006

2L4UV_MP1

4 x 4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0016

2L10UV_SU7

10 x 10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0034

2L20UV_SU9

20 x 20

200

1.5

360

1.6

基底


适用于所有一维/二维位敏探测器SiTek的通用数据:

- 典型热漂移:1L(一维)系列为20 ppm/°C2L(二维)系列为40ppm/°C

- 偏置电压:5-20V

- 最大工作温度:70°C

- 最大存储温度:100°C




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