中科光学,飞秒激光镜片,激光晶体,微透镜阵列,隔震台,蜂窝光学平台,光谱仪,显微镜激光器,显微镜平台,光束轮廓仪,Marzhauser 联系我们
产品中心
光电二极管 首页 > 产品中心 > 光电二极管
EPIGAP选择性光电二极管

EPIGAP选择性光电二极管

EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统,光屏障,光谱传感器,光学通信。

所属品牌:

产品介绍

EPIGAP选择性光电二极管低噪声、高灵敏度


EPIGAP OSA光电二极管主要应用:

       -报警系统

       -遮光板

       -日光传感器

-高速光通信、光领域网

-火焰检测、荧光

-光谱仪设备等


EPIGAP OSA Photonics GmbH的探测器包括基于碳化硅、硅和InGaAs芯片的从紫外到SWIR的组件。EPIGAP OSA Photonics GmbH为不同的光谱灵敏度范围提供不同封装的组件,支持各种应用。这些EPIGAP OSA光电二极管的特点是暗电流低和具有不同的有效区域。

EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统,光屏障,光谱传感器,光学通信。

EOPD-940-0-2.52硅光电二极管装在一个密封TO-5金属罐中,EPIGAP光电探测器非常适合需要可见光和近红外(NIR)光检测的应用。

EOPD-525-1-0.9-1和EOPD-525-1-0.9-2EPIGAP光电探测器设计紧凑,带透镜的SMD封装,设计紧凑便于电路板安装和组装阵列,光电探测器带宽窄,在绿色可见光范围500-600nm光谱范围灵敏度高。EPIGAP光电探测器常应用于报警系统、光屏障、日光传感器,用于近Vλ匹配的探测器。

EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封式TO-46封装,在810-950nm窄带宽和高灵敏度红外光谱范围。应用报警系统、光屏障、光谱传感器和光通信。

EOPD-940-0-2.52、EOPD-940-0-3.57EOPD-940-0-5.8QEOPD-940-0-15硅光电二极管材质都是硅, TO-5封装,这个几个型号硅光电二极管的区别是有效面积不一样。EPIGAP OSA硅光电二极管非常适合需要可见光和近红外(NIR)光检测的应用。EPIGAP OSA光电二极管特点是宽动态范围、高分流电阻、超低噪声,硅光电二极管应用领域是比色计、光度计和光谱仪设备。此外,它还适合于要求高灵敏度(绿色/蓝色)的应用程序,以及可见-接近LR的应用程序。

EOPD-950-0-1.2、EOPD-950-1-1.2和EOPD-950-0-1.2-1是紫外增强硅光电二极管,针对300-500nm高灵敏度应用进行了优化。紫外增强硅光电二极管特点是宽动态范围、高分流电阻和超低噪声。紫外增强硅光电二极管应用是火焰检测、货币身份验证和光谱仪设备、荧光等。

EOPD-1300-0-0.1-1、EOPD-1300-0-0.8-1EOPD-1300-0-1.5-3EOPD-1300-0-0.3-1InGaAs光电探测器材质是InGaAs,特点是高速响应最快是2Gbps,高可靠性和高灵敏度。InGaAs光电探测器应用领域是高速光通信、光局域网和光学开关以及太网光纤通道。


EPIGAP光电探测器的特点

-高灵敏度

-宽动态范围

-超低噪声

-高可靠性


EPIGAP光电探测器标准品          

型号

封装

峰值波长

波长范围nm

材料

有效面积mm2

EOPD-280-0-0.3-1

THT TO-52

265nm

210-355

SiC

0.1

EOPD-525-0-2.25-1

THT TO-39

525

480-560

GAP

5

EOPD-525-1-0.9-1

SMD1206

525

410-580

GaP

0.73

EOPD-525-1-0.9-2

SMD3216 with lens

525

410-580

GaP

0.73

EOPD-880-0-0.5

THTTO46 with lens

890

800-960

AlGaAs/GaAs

0.17

EOPD-940-0-2.52

THT TO-5

940

350-1100

Si

5

EOPD-940-0-3.57

THT TO-5

940

400-1100

Si

10

EOPD-940-0-5.8Q

THT TO-5

940

400-1100

Si

4 x 1.44

EOPD-940-0-15

THT TO-5

940

400-1100

Si

15

EOPD-950-0-1.2

THT TO-46, glass window cap

950

250-1100

planar pn-Si photodiode

1.21

EOPD-950-0-1.2-1

THT TO-46, glass window cap

950

250-1100

planar pn-Si photodiode

1.2

EOPD-950-1-1.2

SMD 3030

950

250-1100

planar pn-Si photodiode

1.2

EOPD-1300-0-0.1-1

THT TO-46

1300

800-1750

PIN - InGaAs

0.8

EOPD-1300-0-0.3.1

THT TO-46

1300

800-1750

InGaAs

0.3

EOPD-1300-0-0.8-1

THT TO-46

1300

800-1750

PIN- InGaAs

0.8

EOPD-1300-0-1.0-1

THT TO-46

1300

600-1750

PIN - InGaAs

1

EOPD-1300-0-1.5-3

THT TO-46

1300

800-1750

PIN - InGaAs

1.5

EOPD-1300-1-0.3

SMD 1206 (3216)

1300

/

InGaAs/InP

0.3

EOPD-1300-5-0.3

THT 5 mm plastic

1600

800-1750

InGaAs/InP

0.3


相关产品
OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备,适用于该频谱范围内的大量应用,如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。

查看详细
Opto Diode极紫外光电二极管

Opto Diode极紫外光电二极管

Opto Diode极紫外光电二极管

SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2,在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。

查看详细
Optodiode紫外增强型光电探测器

Optodiode紫外增强型光电探测器

Optodiode紫外增强型光电探测器

紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。

查看详细
Roithner 1900nm LED

Roithner 1900nm LED

Roithner 1900nm LED

Roithner高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装,底座尺寸均为5x5mm。

查看详细
友情链接: 光电二极管(探测器) 光学镜片 激光晶体 光学平台及光机械 光学仪器 光学配件 激光光束测量仪器 激光器及附件 微透镜 衍射元件 太赫兹产品

扫一扫,立即咨询

工作日在线