EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统，光屏障，光谱传感器，光学通信。
所属品牌： 德国EPIGAP OSA Photonics
EPIGAP OSA光电二极管主要应用：
-报警系统
-遮光板
-日光传感器
-高速光通信、光领域网
-火焰检测、荧光
-光谱仪设备等
EPIGAP OSA Photonics GmbH的探测器包括基于碳化硅、硅和InGaAs芯片的从紫外到SWIR的组件。EPIGAP OSA Photonics GmbH为不同的光谱灵敏度范围提供不同封装的组件，支持各种应用。这些EPIGAP OSA光电二极管的特点是暗电流低和具有不同的有效区域。
EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统，光屏障，光谱传感器，光学通信。
EOPD-940-0-2.52硅光电二极管装在一个密封TO-5金属罐中，EPIGAP光电探测器非常适合需要可见光和近红外(NIR)光检测的应用。
EOPD-525-1-0.9-1和EOPD-525-1-0.9-2EPIGAP光电探测器设计紧凑，带透镜的SMD封装，设计紧凑便于电路板安装和组装阵列，光电探测器带宽窄，在绿色可见光范围500-600nm光谱范围灵敏度高。EPIGAP光电探测器常应用于报警系统、光屏障、日光传感器，用于近Vλ匹配的探测器。
EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封式TO-46封装，在810-950nm窄带宽和高灵敏度红外光谱范围。应用报警系统、光屏障、光谱传感器和光通信。
EOPD-940-0-2.52、EOPD-940-0-3.57、EOPD-940-0-5.8Q和EOPD-940-0-15硅光电二极管材质都是硅， TO-5封装，这个几个型号硅光电二极管的区别是有效面积不一样。EPIGAP OSA硅光电二极管非常适合需要可见光和近红外(NIR)光检测的应用。EPIGAP OSA光电二极管特点是宽动态范围、高分流电阻、超低噪声，硅光电二极管应用领域是比色计、光度计和光谱仪设备。此外，它还适合于要求高灵敏度(绿色/蓝色)的应用程序，以及可见-接近LR的应用程序。
EOPD-950-0-1.2、EOPD-950-1-1.2和EOPD-950-0-1.2-1是紫外增强硅光电二极管，针对300-500nm高灵敏度应用进行了优化。紫外增强硅光电二极管特点是宽动态范围、高分流电阻和超低噪声。紫外增强硅光电二极管应用是火焰检测、货币身份验证和光谱仪设备、荧光等。
EOPD-1300-0-0.1-1、EOPD-1300-0-0.8-1、EOPD-1300-0-1.5-3和EOPD-1300-0-0.3-1InGaAs光电探测器材质是InGaAs，特点是高速响应最快是2Gbps，高可靠性和高灵敏度。InGaAs光电探测器应用领域是高速光通信、光局域网和光学开关以及太网光纤通道。
EPIGAP光电探测器的特点
-高灵敏度
-宽动态范围
-超低噪声
-高可靠性
EPIGAP光电探测器标准品
|
型号 |
封装 |
峰值波长 |
波长范围nm |
材料 |
有效面积mm2 |
|
EOPD-280-0-0.3-1 |
THT TO-52 |
265nm |
210-355 |
SiC |
0.1 |
|
EOPD-525-0-2.25-1 |
THT TO-39 |
525 |
480-560 |
GAP |
5 |
|
EOPD-525-1-0.9-1 |
SMD1206 |
525 |
410-580 |
GaP |
0.73 |
|
EOPD-525-1-0.9-2 |
SMD3216 with lens |
525 |
410-580 |
GaP |
0.73 |
|
EOPD-880-0-0.5 |
THTTO46 with lens |
890 |
800-960 |
AlGaAs/GaAs |
0.17 |
|
EOPD-940-0-2.52 |
THT TO-5 |
940 |
350-1100 |
Si |
5 |
|
EOPD-940-0-3.57 |
THT TO-5 |
940 |
400-1100 |
Si |
10 |
|
EOPD-940-0-5.8Q |
THT TO-5 |
940 |
400-1100 |
Si |
4 x 1.44 |
|
EOPD-940-0-15 |
THT TO-5 |
940 |
400-1100 |
Si |
15 |
|
EOPD-950-0-1.2 |
THT TO-46, glass window cap |
950 |
250-1100 |
planar pn-Si photodiode |
1.21 |
|
EOPD-950-0-1.2-1 |
THT TO-46, glass window cap |
950 |
250-1100 |
planar pn-Si photodiode |
1.2 |
|
EOPD-950-1-1.2 |
SMD 3030 |
950 |
250-1100 |
planar pn-Si photodiode |
1.2 |
|
EOPD-1300-0-0.1-1 |
THT TO-46 |
1300 |
800-1750 |
PIN - InGaAs |
0.8 |
|
EOPD-1300-0-0.3.1 |
THT TO-46 |
1300 |
800-1750 |
InGaAs |
0.3 |
|
EOPD-1300-0-0.8-1 |
THT TO-46 |
1300 |
800-1750 |
PIN- InGaAs |
0.8 |
|
EOPD-1300-0-1.0-1 |
THT TO-46 |
1300 |
600-1750 |
PIN - InGaAs |
1 |
|
EOPD-1300-0-1.5-3 |
THT TO-46 |
1300 |
800-1750 |
PIN - InGaAs |
1.5 |
|
EOPD-1300-1-0.3 |
SMD 1206 (3216) |
1300 |
/ |
InGaAs/InP |
0.3 |
|
EOPD-1300-5-0.3 |
THT 5 mm plastic |
1600 |
800-1750 |
InGaAs/InP |
0.3 |
近红外LED芯片
EPIGAP专业从事紫外至红外波段，特别是短波红外LED芯片的研发、生产与供应。我们的产品以高效率和卓越的可靠性为核心优势。为满足多样化的应用需求，我们提供在波长、芯片尺寸及极性方面具有广泛选择性的SWIR LED芯片，并支持根据客户具体规格进行定制。此外，针对有严苛质量标准的客户，我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务，确保产品性能符合特定要求。
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宽带LED发射器
宽带LED是一种多功能光源，能够发出涵盖广泛光谱范围的光，使其特别适用于超光谱成像、医学诊断和环境监测等领域。EPIGAP OSA Photonics提供具有可定制光谱特性的宽带SMD LED，以满足特定应用需求。
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TSYS03温度系统传感器
温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器，用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸，可轻松适应印刷电路板上的可用空间。
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硅材料APDs，雪崩光电二极管
硅材料APDs，雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围，具有极高的量子效率、极低的噪声。
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