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Opto Diode极紫外光电二极管

Opto Diode极紫外光电二极管

SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2,在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。

所属品牌: Opto diode

产品介绍

SXUV极紫外光电二极管极紫外光探测理想选择

SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2,在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。电容随着电压的增加而降低最后达到最小1000pF,暗电流随着电压的增大而增大。

Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20C1nm200nm波长有卓越的响应。它是专门设计为很长一段时间内稳定暴露在高强度EUV能量。20mm²的圆形活动区域提供了一个实质性的表面便于对准EUV激光。SXUV20C在极端紫外线环境中具有较高的辐射硬度,比SXUV20HS1极紫外光电探测器更低的噪音。此外SXUV20C极紫外光电探测器具有高光子通量鲁棒性,整体响应度更高。


Opto Diode极紫外光电二极管SXUV20HS1是一个圆形的活动区域,是极紫外探测的理想选择,网格线5微米,间距100微米,同时具有优越的辐射硬度。Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20HS1Vr=150V测试条件下,暗电流的最大值是100nA。在VR=0V测试条件下,SXUV光电探测器SXUV20HS1电容的典型值是500pF,最大值是1500pF

Opto Diode极紫外光电二极管SXUV300C是矩形活动区,在EUV曝光后有优异稳定性,响应度为1nm的无窗封装,陶瓷包装。Opto Diode极紫外增强型光电二极管SXUV300C有效面积是331mm2,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压典型值是25V

SXUV光电探测器SXUV5是一个圆形的活动区域,在EUV曝光后有优异稳定性,TO-5封装,响应度为1nm的无窗封装。SXUV光电探测器SXUV5有效区域是5mm2,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压典型值是20V,最小值是5V

Optodiode极紫外增强型光电二极管特点:

-极紫外光探测的理想选择

-有效面积5-331mm²

-防护罩板

-TO-8、TO-5、陶瓷封装


Opto Diode极紫外光电二极管应用:

       -半导体设备制造,测试和测量

       -医疗、军事和国防

       -工业

-生物技术

       -非常特殊的科学应用


SXUV极紫外光电二极管型号

SXUV极紫外光电二极管具有卓越的13.5nm光刻能力,在1nm190nm的极端紫外曝光下具有稳定的响应度,是极紫外光测量的理想选择。

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

SXUV100

ODD-SXU-001

大型极紫外光电二极管(1nm-190nm)

100

SXUV20C

ODD-SXU-051

极紫外低噪声光电探测器(1nm-190nm)

19.7

SXUV20HS1

ODD-SXU-004

高速极紫外光电探测器(1nm-190nm)

19.7

SXUV300C

ODD-SXU-044

大型极紫外高速陶瓷封装光电探测器(1nm~190nm)

331

SXUV5

ODD-SXU-008

高速极紫外光电探测器(1nm-90nm)

5




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