SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。
所属品牌： Opto diode
SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。电容随着电压的增加而降低最后达到最小1000pF，暗电流随着电压的增大而增大。
Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20C在1nm到200nm波长有卓越的响应。它是专门设计为很长一段时间内稳定暴露在高强度EUV能量。20mm²的圆形活动区域提供了一个实质性的表面便于对准EUV激光。SXUV20C在极端紫外线环境中具有较高的辐射硬度，比SXUV20HS1极紫外光电探测器更低的噪音。此外SXUV20C极紫外光电探测器具有高光子通量鲁棒性，整体响应度更高。
Opto Diode极紫外光电二极管SXUV20HS1是一个圆形的活动区域，是极紫外探测的理想选择，网格线5微米，间距100微米，同时具有优越的辐射硬度。Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20HS1在Vr=150V测试条件下，暗电流的最大值是100nA。在VR=0V测试条件下，SXUV光电探测器SXUV20HS1电容的典型值是500pF，最大值是1500pF。
Opto Diode极紫外光电二极管SXUV300C是矩形活动区，在EUV曝光后有优异稳定性，响应度为1nm的无窗封装，陶瓷包装。Opto Diode极紫外增强型光电二极管SXUV300C有效面积是331mm2，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压典型值是25V。
SXUV光电探测器SXUV5是一个圆形的活动区域，在EUV曝光后有优异稳定性，TO-5封装，响应度为1nm的无窗封装。SXUV光电探测器SXUV5有效区域是5mm2，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压典型值是20V，最小值是5V。
Optodiode极紫外增强型光电二极管特点：
-极紫外光探测的理想选择
-有效面积5-331mm²
-防护罩板
-TO-8、TO-5、陶瓷封装
Opto Diode极紫外光电二极管应用：
-半导体设备制造，测试和测量
-医疗、军事和国防
-工业
-生物技术
-非常特殊的科学应用
SXUV极紫外光电二极管型号
SXUV极紫外光电二极管具有卓越的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的极端紫外曝光下具有稳定的响应度，是极紫外光测量的理想选择。
|
型号 |
零件编号 |
描述 |
有效面积mm² |
|
SXUV100 |
ODD-SXU-001 |
大型极紫外光电二极管(1nm-190nm) |
100 |
|
SXUV20C |
ODD-SXU-051 |
极紫外低噪声光电探测器(1nm-190nm) |
19.7 |
|
SXUV20HS1 |
ODD-SXU-004 |
高速极紫外光电探测器(1nm-190nm) |
19.7 |
|
SXUV300C |
ODD-SXU-044 |
大型极紫外高速陶瓷封装光电探测器(1nm~190nm) |
331 |
|
SXUV5 |
ODD-SXU-008 |
高速极紫外光电探测器(1nm-90nm) |
5 |
国产高增益APD,雪崩光电二极管
硅雪崩光电二极管总共有四个型号，C58012-01、C58012-02、C5803-01和C5803-02，增强型雪崩光电二极管波长范围是400-1000nm，光敏面直径0.5mm，国产高增益APD增益最大是100M。
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