太赫兹晶体ZnTe,GaSe

ZnTe（碲化锌）和GaSe（硒化镓）晶体，GaSe晶体有着高激光损伤阈值，很大的非线性光学系数。ZnTe晶体的尺寸为10x10mm，厚度范围在0.1到3.0mm。GaSe晶体的通光孔径都为7mm，厚度范围在10到2000µm。

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产品介绍

EKSMA Optics是一家用于激光器、激光系统和其他光子仪器的精密激光组件的制造商和全球供应商。艾克斯玛公司位于欧洲地理中心立陶宛首都维尔纽斯，为工业、医疗、美学、科学和国防市场的不同激光和光子应用领域的客户提供服务。

EKSMA Optics建立在激光和光学领域长期的专业知识之上。艾克斯玛公司于1983年开始为科学实验室开发光机械元件，从1990年起营销激光应用、非线性和激光介质晶体的光学元件。根据客户给的图纸和制造规格，艾克斯玛可提供定制光学和晶体组件服务。并且也提供各种标准目录产品，以便快速现货交付。

EKSMA Optics目前有售用于产生太赫兹频段辐射的GaSe,ZnTe太赫兹晶体（硒化镓THz晶体，碲化锌THz晶体）。ZnTe和GaSe晶体 Eksma具有高损伤阈值，太赫兹ZnTe晶体和GaSe晶体可产生极短且高质量的太赫兹脉冲。

ZnTe晶体 Eksma规格参数：

型号	尺寸(mm)	厚度(mm)	支架(mm)	参考价格(欧元)
ZnTe-100H	10x10	0.1	Ø25.4	2145
ZnTe-200H	10x10	0.2	Ø25.4	1880
ZnTe-500H	10x10	0.5	Ø25.4	1420
ZnTe-1000H	10x10	1.0	Ø25.4	1570
ZnTe-2000H	10x10	2.0	Ø25.4	1790
ZnTe-3000H	10x10	3.0	Ø25.4	2510

GaSe晶体 Eksma规格参数：

型号	通光孔径(mm)	厚度(µm)	支架(mm)	参考价格(欧元)
GaSe-10H1	Ø7	10	Ø25.4	1950
GaSe-30H1	Ø7	30	Ø25.4	1625
GaSe-100H1	Ø7	100	Ø25.4	1475
GaSe-500H1	Ø7	500	Ø25.4	1460
GaSe-1000H1	Ø7	1000	Ø25.4	1635
GaSe-2000H1	Ø7	2000	Ø25.4	1810

110晶向的太赫兹晶体ZnTe通过光学整流过程产生太赫兹。光学整流效应是一种二阶非线性效应。脉冲激光照射到非线性介质晶体，脉冲激光的各个单色分量之间会在样品中通过差频振荡现象产生一个随时间变化的电极化场，该电极化场将产生太赫兹。

还可利用110晶向的太赫兹晶体ZnTe基于自由空间电光技术实现对太赫兹脉冲的探测。在自由空间光电采样系统里太赫兹光束和线偏振光束在ZnTe太赫兹源内共线传播。太赫兹光束产生的电场会影响ZnTe太赫兹源晶体的复折射率，最终改变线偏振光，自由光电采样系统能检测和放大这种改变并转为更直观的强度变化来绘制太赫兹脉冲幅度。

读出完整电场（包括幅度和时延）的能力是太赫兹时域光谱的一大特色。太赫兹ZnTe晶体Eksma还能用于红外光学元件基板和真空沉积。ZnTe太赫兹晶体根据制作厚度的不同分为以下型号：ZnTe-100H，ZnTe-200H，ZnTe-500H，ZnTe-1000H，ZnTe-2000H，ZnTe-3000H。

注： ZnTe太赫兹晶体含有微气泡，它们在照明晶体的投影中可见。然而，这并不影响太赫兹的产生。我们不接受有关水晶中存在气泡的投诉。

使用GaSe晶体Eksma产生的太赫兹能达到41THz的大带宽。GaSe太赫兹源是负单轴层状半导体，拥有62m空间点群的六边形结构，300K时的带隙为2.2eV。GaSe太赫兹晶体有着高激光损伤阈值（可达3.7 J/cm2），很大的非线性光学系数（54pm/V），比较合适的透明范围(0.65-18μm)，和足够低的吸收系数（α＜0.01cm-1），使其成为宽带中红外电磁波产生的重要解决方案。由于使用20fs的飞秒激光源产生和检测宽带太赫兹，GaSe太赫兹源制作的太赫兹发射器-检测器系统性能被认为可以达到与使用太赫兹ZnTe晶体相当甚至更好的结果。使用合适厚度的太赫兹GaSe晶体可以实现对太赫兹波产生和探测系统的频率选择。太赫兹GaSe晶体根据制作厚度的不同分为以下型号：GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。