美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color)，这些Infrared探测器各有各的优势和特点，以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。
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美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color)，这些Infrared探测器各有各的优势和特点，以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。
图1：InSb/HgCdTe探测器图示
光伏锑化铟探测器(InSb Detectors)：
InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结，这种工艺可生产出较高质量的光电二极管，并且在1μm至5.5μm波长区域表现出卓越的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器，其性能可通过空间（冷却FOV stops）或光谱（冷却干扰滤波器）减少背景来提高。
图2：D*值曲线图
光电效应是指当适当波长的辐射入射到p-n结时，p-n结上会产生电势。当光子通量照射到交界时，如果光子能量超过禁带间隙能量，就会形成电子-空穴对。
磁场将电子从p区扫向n区，将空穴从n区扫向p区。这一过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。该电路由信号和噪声电流发生器与电阻和电容项并联组成。
图3：InSb探测器的等效电路图
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到最佳工作点：零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器来实现，例如IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声受限模式下工作，需要双路输出电源。
光伏锑化铟探测器的应用：
- 医疗热成像
- 热成像
- 光谱学
- 辐射测量
- 科研
- 红外显微镜
光伏锑化铟探测器的规格参数：
标准光伏锑化铟探测器规格表
|
型号 |
FOV=60O, (λpk,1000,1) |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
|||||||
|
有效面积(mm) |
D*(cmHz1/2W-1) |
响应度 (λp) |
电阻 (Rd) (Ω) |
电容 (Cd) (pF) |
短路电流 Isc (µA) |
开路电压 Vcc (mV) |
工作温度(K) |
|||
|
IS-0.25 |
q.25/.25x.25 |
≥1.0E11 |
≥3A/W |
1000K |
70 |
0.9 |
80 to 125 |
77 |
MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 |
Sapphire |
|
IS-0.5 |
q.5/.5x.5 |
500K |
100 |
2 |
||||||
|
IS-1.0 |
q1/1x1 |
300K |
350 |
8 |
||||||
|
IS-2.0 |
q2/2x2 |
100K |
1500 |
30 |
||||||
|
MSL-8 侧视金属Side Looking Metal Dewar--8 小时保温时间，MSL-12 侧视金属露--12 小时保温时间 MDL-8 下视金属Down Looking Metal Dewar--8 小时保温时间，MDL-12 下视金属露--12 小时保温时间 |
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可根据客户的规格要求定制配置和阵列。此外，还可提供定制的金属和玻璃露台，以配合各种冷却技术，详情请联系我们。
碲镉汞(MCT)探测器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))：
InfraRed Associate提供完整系列的光电导碲镉汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷却探测器。通过调整这种三元化合物的合金成分，可以改变波长响应。
操作这些光电导碲镉汞探测器时需要偏置电压，并确定最佳值以实现最高信噪比。InfraRed Associates的探测器在性能上通常受到背景噪声的限制。
标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应如下图所示，图中给出的是FOV60度下的D*值和响应度。数值因元件尺寸和封装而异，请参阅规格表，了解与探测器要求相对应的数据。
图4：标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应图
光电导碲镉汞探测器的应用：
- 医学热成像
- 热成像
- 傅立叶变换红外光谱仪
- 分析仪器
- 科研
- 污染监测
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器(InSb/HgCdTe 2-color)：
InfraRed Associates为商业和军事应用提供InSb/HgCdTe 双色红外探测器。这些探测器可对红外光谱中不同但相邻的区域做出响应，一个元件响应短波长辐射，另一个元件响应长波长辐射。
其中，独特的结构允许两个元件位于同一焦点。 InSb/HgCdTe 双色探测器的InSb元件对1µm至5.5µm的辐射做出响应，HgCdTe元件对5.5µm至12.5µm的辐射做出响应。碲化镉汞元件可进行定制，以将其长波长响应范围扩展到25mm以上。可根据客户的规格要求进行定制配置，了解详情，请联系我们。
图5：响应度曲线图
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的应用：
- 辐射测量
- 热成像
- 背景识别Background Discrimination
- 傅立叶变换红外光谱
- 红外显微镜
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的规格参数：
标准InSb/HgCdTe双色红外探测器规格表
|
型号 |
FOV=60O, InSb (λpk,1000,1), HgCdTe (λpk,10000,1) |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
||||
|
有效面积(mm) |
波长响应 (20% λco) (µm) |
D* (cmHz1/2W-1) |
反应率 |
工作温度 (K) |
|||
|
2C-.25 InSb HgCdTe |
q0.25/0.25x0.25 0.25x0.25 |
1- 5.5 5.5-12.5 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥5000V/W |
77 |
MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 |
ZnSe (2-14mm) |
|
2C-.5 InSb HgCdTe |
q0.5/0.5x0.5 0.5x0.5 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥3000V/W |
||||
|
2C- 1 InSb HgCdTe |
q1/ 1.0x1.0 1.0x1.0 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥2000V/W |
||||
|
2C- 2 InSb HgCdTe |
q2/ 2.0x2.0 2.0x2.0 |
≥1.0E11 ≥2.0E10 |
≥3 A/W ≥1000V/W |
||||
|
MSL-8侧视金属Side Looking Metal Dewar--8小时保温时间，MSL-12侧视金属--12小时保温时间 MDL-8下视金属Down Looking Metal Dewar--8小时保温时间，MDL-12下视金属--12小时保温时间 |
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