
SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率高功率绿色LED,典型峰值波长为550nm,光输出功率为100mW@350mA。高功率绿光LED采用SMD封装(PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模压平窗。
所属品牌: 奥地利Roithner Lasertechnik
Roithner 550nm LED的主要特点:
-高功率绿色LED
-特定波长550nm,光输出功率100mW@350mA
-砷化镓芯片(InGaAs chip),1x1mm
- PA9T SMD 封装
-光束角±65°(SMB1N-550H)或±10°(SMB1N-550H-02)
2023年末,奥地利Roithner公司正式推出了550nm的高功率绿色LED,型号SMB1N-550H和SMB1N-550H-02。高功率绿光LED继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片(InGaAs chip)技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装。
SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率高功率绿色LED,典型峰值波长为550nm,光输出功率为100mW@350mA。高功率绿光LED采用SMD封装(PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-550H-02的光输出功率也为100mW@350mA。550nm高功率LED SMB1N-550H-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模制透镜,还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。
Roithner LED SMB1N-550H与SMB1N-550H-02的最大区别是SMB1N-550H-02含有透镜,从而导致其光束角为±10°,而SMB1N-550H的光束角为±65°。
550nm高功率绿光LED的最大额定值*:
|
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
功率耗散 |
PD |
|
1200 |
mW |
|
正向电流 |
IF |
|
350 |
mA |
|
脉冲正向电流** |
IFP |
|
500 |
mA |
|
反向电压 |
UF |
|
5 |
V |
|
热阻 |
RTHJA |
|
10 |
K/W |
|
结温 |
TJ |
|
120 |
°C |
|
工作温度 |
TCASE |
-40 |
+100 |
°C |
|
存储温度 |
TSTG |
-40 |
+100 |
°C |
|
引线焊接温度 (tmax.5s) |
TSLD |
|
+250 |
°C |
*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备
**占空比=1%,脉冲宽度=10μs
550nm高功率LED电子光学特性(TCASE = 25°C):
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
峰值波长 |
λP |
IF=1 A |
540 |
|
560 |
nm |
|
半宽 |
λΔ |
IF=1 A |
|
35 |
|
nm |
|
正向电压 |
VF |
IF=1 A |
|
2.7 |
3.4 |
V |
|
VFP |
IFP=2 A* |
|
2.9 |
|
||
|
总辐射功率 |
PO |
IF=1 A |
70 |
100 |
|
mW |
|
IF=2 A* |
|
140 |
|
|||
|
辐射强度 |
IE |
IF=1 A |
|
33(160)* |
|
mW/sr |
|
IF=2 A* |
|
46(220) |
|
|||
|
视角 |
2θ1/2 |
IF=100 Ma |
|
130(20) |
|
deg. |
|
上升时间 |
tr |
IF=1 A |
|
100 |
|
ns |
|
下降时间 |
tf |
IF=1 A |
|
30 |
|
ns |
*占空比=1%,脉冲宽度=10μs
*()里为高功率绿色LED的SMB1N-550H-02参数
550nm高功率绿光LED的外形尺寸:

550nm发光二极管SMB1N-550H-02

550nm发光二极管SMB1N-550H
红外高功率Roithner LED典型性能曲线:
550nm发光二极管SMB1N-550H
550nm发光二极管SMB1N-550H-02

近红外LED芯片
EPIGAP专业从事紫外至红外波段,特别是短波红外LED芯片的研发、生产与供应。我们的产品以高效率和卓越的可靠性为核心优势。为满足多样化的应用需求,我们提供在波长、芯片尺寸及极性方面具有广泛选择性的SWIR LED芯片,并支持根据客户具体规格进行定制。此外,针对有严苛质量标准的客户,我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务,确保产品性能符合特定要求。
查看详细
宽带LED发射器
宽带LED是一种多功能光源,能够发出涵盖广泛光谱范围的光,使其特别适用于超光谱成像、医学诊断和环境监测等领域。EPIGAP OSA Photonics提供具有可定制光谱特性的宽带SMD LED,以满足特定应用需求。
查看详细
TSYS03温度系统传感器
温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器,用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸,可轻松适应印刷电路板上的可用空间。
查看详细
硅材料APDs,雪崩光电二极管
硅材料APDs,雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围,具有极高的量子效率、极低的噪声。
查看详细