Alphalas亚纳秒微片激光器采用了一体化的专利微芯片设计，其激光腔是永久固定的，无需调试，因此稳定性极高。这款DPSS激光器能产生脉冲宽度小于1纳秒、峰值功率极高的1064纳米激光，并且光束质量优异，为完美的基模高斯光束。
所属品牌： Alphalas
Alphalas亚纳秒微片激光器采用了一体化的专利微芯片设计，其激光腔是永久固定的，无需调试，因此稳定性极高。这款DPSS激光器能产生脉冲宽度小于1纳秒、峰值功率极高的1064纳米激光，并且光束质量优异，为完美的基模高斯光束。Alphalas被动调Q微芯片激光器通常通过内置频率发生器和外部TTL触发，还可以选择转换为绿光（532 nm）和紫外光（355nm、266nm）。
Alphalas亚纳秒被动调Q微片激光器的主要特点：
-被动调Q
-紧凑的结构设计
-专有的微芯片设计
-最高峰值功率＞1.5mW和脉冲能量＞1.5mJ，商用级，直接来自振荡器
-重复频率高达100kHz
-平均功率高达1W
-外部触发，低抖动
-频率转换为532nm，355nm和266nm可选
-其他波长（例如946nm，1342nm）可根据要求提供纳秒脉冲
PULSELAS-P微片激光器系列分为常规版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100, PULSELAS-P-1064-200和PULSELAS-P-1064-300-FC，高能量版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100-HE和PULSELAS-P-1064-150-HE，以及高功率版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100-HP和PULSELAS-P-1064-400-HP。高能型号的PULSELAS-P-1064-150-HE亚纳秒微片激光器提供超过1.5mJ的脉冲能量，脉冲持续时间为1ns，从而产生最高峰值功率>1.5mW。Alphalas被动调Q微芯片激光器的重复频率高达100 kHz，平均功率范围从100mW-1W。
亚纳秒微芯片激光器因其可靠且坚固的微芯片设计非常适合先进的OEM工业应用。被动调Q微芯片激光器紧凑的设计几乎适用于任何系统集成，其中的光纤泵浦选项，如亚纳秒微片激光器中的PULSELAS-P-1064-300-FC可以提供了更紧凑和更灵活的选择。Alphalas微片激光器的应用范围极其广泛，从光子晶体光纤中的超连续谱生成，到内燃机点火，再到微加工。
PULSELAS-P微片激光器的主要应用：
-材料加工
-微加工
-极硬材料（如钻石）的打标和切割
-非线性光学
-超连续谱产生
-时间分辨荧光测量
-DNA分析
-激光雷达和激光测距
-污染监测
-激光诱导击穿光谱 (LIBS)
-爆炸物、内燃机和混合气体的点火
Alphalas被动调Q微芯片激光器的标准品参数：
Alphalas亚纳秒微片激光器所有型号均提供倍频、三倍频和四倍频选项，波长分别为532nm、355nm和266nm，还可根据客户要求提供特定参数。
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型号 |
PULSELAS-P- 1064-100 |
PULSELAS-P- 1064-200 |
PULSELAS-P- 1064-300-FC |
PULSELAS-P- 1064-300-HP |
PULSELAS-P- 1064-400-HP |
PULSELAS-P- 1064-100-HE |
PULSELAS-P- 1064-150-HE |
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波长(nm) |
1064 |
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|
脉冲能量(μJ,±10%) |
6-10 @5kHz |
6-10 @5kHz |
15-20 @5kHz |
120 @1kHz |
400 @100Hz |
1000 @100Hz |
1500 @100Hz |
|
平均功率(mW) |
Typ.100 @10kHz |
Typ.200 @20kHz |
Typ.300 @20kHz |
Typ.150 @1kHz |
Typ.40 @100Hz |
Typ.100 @100Hz |
Typ.150 @100Hz |
|
脉冲宽度(ps) |
Typ.800 |
Typ.900 |
Typ.1000 |
Typ.900 |
Typ.1100 |
||
|
重复频率(kHz) |
Typ.10 |
Typ.20 |
Typ.15 |
Max.2 |
Max0.15 |
0-0.1 |
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|
光束轮廓 |
TEM₀₀ |
||||||
|
偏振比 |
>100 : 1 |
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|
光束直径(mm) |
0.3 |
0.4 |
0.3 |
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光束发散角(mrad全角) |
Typ.6 |
||||||
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功率不稳定性(%rms, 1小时) |
＜2 |
||||||
|
散热器工作温度(℃) |
+18…+30 |
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激光头尺寸(W×H×L, mm³) |
40x52x90 |
40x52x140 |
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|
包含LD和TEC驱动器 (W×H×L, mm³) |
LDD1-1T-D 105x65x100 |
LDD1-1T-D 105x65x200 |
LDF-30-P 360x160x375 |
||||
|
工作温度 (°C) |
+18…+30 |
||||||
|
无湿气储存温度 (°C) |
-10…+50 |
||||||
注释：由于固有的激光动力学特性，在3-5kHz以上频率下， DPSS微片激光器可能出现双/多振幅特征。振幅交替变化，跳变幅度为10-20%。每种脉冲类型的稳定性均优于1%rms。
1）提供外部触发选项和内部频率发生器选项，频率最高可达 5 kHz。
2）内部和外部触发器均为标准配置。
3）高能量和高功率型号亚纳秒微芯片激光器的激光头采用光纤泵浦。激光二极管安装在LDF-30-P型号光纤耦合激光二极管中，并配有驱动器。
4）DPSS微片激光器PULSELAS-P-1064-100, PULSELAS-P-1064-200, PULSELAS-P-1064-300-FC提供Ø20×40mm光纤泵浦激光头。
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