中科光学,飞秒激光镜片,激光晶体,微透镜阵列,隔震台,蜂窝光学平台,光谱仪,显微镜激光器,显微镜平台,光束轮廓仪,Marzhauser 联系我们
产品中心
光电二极管 首页 > 产品中心 > 光电二极管
近红外LED芯片

近红外LED芯片

EPIGAP专业从事紫外至红外波段,特别是短波红外LED芯片的研发、生产与供应。我们的产品以高效率和卓越的可靠性为核心优势。为满足多样化的应用需求,我们提供在波长、芯片尺寸及极性方面具有广泛选择性的SWIR LED芯片,并支持根据客户具体规格进行定制。此外,针对有严苛质量标准的客户,我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务,确保产品性能符合特定要求。

所属品牌: 德国EPIGAP OSA Photonics

产品介绍

EPIGAP专业从事紫外至红外波段,特别是短波红外LED芯片的研发、生产与供应。我们的产品以高效率和卓越的可靠性为核心优势。为满足多样化的应用需求,我们提供在波长、芯片尺寸及极性方面具有广泛选择性的SWIR LED芯片,并支持根据客户具体规格进行定制。此外,针对有严苛质量标准的客户,我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务,确保产品性能符合特定要求。

EPIGAP短波红外线(SWIR)LED的发射波长范围在10002500纳米之间。这些短波红外发光二极管特别适用于机器视觉领域,因为它们对人眼不可见,并能够揭示物体材料特性的信息。某些波长还具有其他独特特性,例如在玻璃或大气中的低吸收率。短波红外发光二极管 (SWIR LED) 也应用于安防或医疗领域。


红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1

红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1典型的光电特性,测试条件25℃

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

发射颜色



红外

正向电压

Vf

If=100mA


0.96

V



If = 1000 mA


1.28

V

峰值波长

λD

If=100mA

1170

1200

1230

nm

FWHM

Δλ

If=100mA


50

nm

辐射功率

Po

If=100mA


26

mW



If = 1000 mA


154

mW

反向电流

IR

VR = 5 V


5

µA

上升时间

TR

If = 100 mA


66

ns

下降时间

TF

If = 100 mA


99

ns

红外InGaAs LED芯片最大额定值

参数

符号

最小值

最大值

单位

正向电流(T=25°C,无限散热器)

If, max


1000

mA

反向电压

VR


5

V

工作温度

Top

-40

+85

红外InGaAs LED芯片机械尺寸

参数

最小值

单位

芯片尺寸

1080

±25

µm

厚度

150

±10

µm

P焊盘(底部)/Au合金

-

-

µm

N-焊盘(顶部)/Au合金

130

±10

µm

想了解其他近红外LED芯片型号的规格参数,欢迎联系我们。


EPIGAPSWIR LED芯片有GaAsInGaAs两种材料,近红外LED芯片又可以称为GaAs LED芯片、红外InGaAs LED芯片和SWIR LED

我们提供上述以及其他类型的短波红外LED芯片,亦有表面贴装器件(SMD)形式可选。


EPIGAPSWIR LED芯片应用:

-工业机器视觉

-安防与监控

-医疗与生命科学

-红外感应

-高功率应用 


EPIGAP短波红外LED芯片型号

SWIR LED型号

尺寸μm

材料

极性

电压V

电流mA

输出功率mW

波长nm

FWHM nm

EOLC-1020-17

365

GaAs

P-up

1.25

20

3

1020

35

EOLC-1020-11

960

GaAs

P-up

1.15

350

8.5

1020

40

EOLC-1040-27

350

GaAs

N-up

1.25

120

1040

33

EOLC-1050-17-1

365

GaAs

P-up

1.15

20

4.5

1050

80

EOLC-1050-11

960

GaAs

P-up

1.15

350

20

1050

60

EOLC-1060-17-1

365

GaAs

P-up

1.25

100

4

1060

80

EOLC-1060-11

960

GaAs

P-up

50

3.5

1060

EOLC-1070-25

350

InGaAs

N-up

1.28

100

47

1070

38

EOLC-1140-17

365

InGaAs

P-up

1.2

100

3.5

1140

70

EOLC-1140-11

960

InGaAs

P-up

1.05

350

4

1140

60

EOLC-1200-27

350

InGaAs

N-up

1

100

14.4

1200

62

EOLC-1200-27-1

350

InGaAs

N-up

1.35

100

18.8

1200

51

EOLC-1200-21

1080

InGaAs

N-up

1.33

1000

110

1200

74

EOLC-1200-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.28

1000

154

1200

50

EOLC-1300-27

350

InGaAs

N-up

1

100

19.5

1300

95

EOLC-1300-27-1

350

InGaAs

N-up

1.35

100

20.1

1300

59

EOLC-1300-21

1080

InGaAs

N-up

1.28

1000

85

1300

94

EOLC-1300-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.25

1000

171

1300

48

EOLC-1350-27-1

350

InGaAs

N-up

1.24

100

17.5

1350

61

EOLC-1350-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.25

1000

174

1350

49

EOLC-1450-21

1080

InGaAs

N-up

1

1000

50

1450

75

EOLC-1450-27

350

InGaAs

N-up

0.91

20

3.8

1450

95

EOLC-1460-27

350

InGaAs

N-up

0.91

20

3.8

1450

95

EOLC-1460-27-1

350

InGaAs

N-up

1.2

100

15

1460

59

EOLC-1460-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.2

1000

130

1460

69

EOLC-1550-27

350

InGaAs

N-up

0.9

120

6.8

1550

109

EOLC-1550-27-1

350

InGaAs

N-up

1.2

100

11.9

1550

98

EOLC-1550-21

1080

InGaAs

N-up

0.74

1000

50

1550

120

EOLC-1550-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.15

1000

101

1550

98

EOLC-1650-27

350

InGaAs

N-up

1.15

100

8.5

1065

106

EOLC-1650-21

1080

InGaAs

N-up

1.15

1000

78

1065

86

EOLC-1720-27

350

InGaAs

N-up

0.8

100

1.8

1720

EOLC-1720-21

1080

InGaAs

N-up

0.67

1000

59

1720

95

EOLC-1720-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.1

1000

6.2

1720

129

EOLC-1900-27-1

350

InGaAs

N-up

1.15

100

48

1900

122

EOLC-1900-21-1

1080

InGaAs

N-up

1.1

1000

6.8

1900

109

EOLC-1060-17-1二维图纸





相关产品
宽带LED发射器

宽带LED发射器

宽带LED发射器

宽带LED是一种多功能光源,能够发出涵盖广泛光谱范围的光,使其特别适用于超光谱成像、医学诊断和环境监测等领域。EPIGAP OSA Photonics提供具有可定制光谱特性的宽带SMD LED,以满足特定应用需求。

查看详细
TSYS03温度系统传感器

TSYS03温度系统传感器

TSYS03温度系统传感器

温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器,用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸,可轻松适应印刷电路板上的可用空间。

查看详细
硅材料APDs,雪崩光电二极管

硅材料APDs,雪崩光电二极管

硅材料APDs,雪崩光电二极管

硅材料APDs,雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围,具有极高的量子效率、极低的噪声。

查看详细
气体传感VCSEL激光器

气体传感VCSEL激光器

气体传感VCSEL激光器

VERTILAS的近红外VCSEL提供特定波长的单模激光器,其中VCSEL激光器可作为可调谐半导体激光吸收光谱分析(TDLAS)的半导体激光光源,可以检测多种气体,激光波长从1.3µm到 2.3µm,包括针对主要应用的标准产品

查看详细
友情链接: 光电二极管(探测器) 光学镜片 激光晶体 光学平台及光机械 光学仪器 光学配件 西格玛光机,Optosigma 激光光束测量仪器 激光器及附件 微透镜 衍射元件 太赫兹产品

扫一扫,立即咨询