国产高增益APD,雪崩光电二极管

硅雪崩光电二极管总共有四个型号，C58012-01、C58012-02、C5803-01和C5803-02，增强型雪崩光电二极管波长范围是400-1000nm，光敏面直径0.5mm，国产高增益APD增益最大是100M。

所属品牌： 中科光学

产品介绍

雪崩光电二极管是我司自主生产，对比索雷博雪崩光电二极管，我司的雪崩光电二极管在蓝绿光波段，响应性能更好。我们正在开发后端放大电路，近期可提供成品，欢迎前来咨询采购。

硅雪崩光电二极管总共有四个型号，C58012-01、C58012-02、C5803-01和C5803-02。高增益雪崩光电二极管C58012-01和C58012-02在可见光波段具有高灵敏度。C5803-01和C5803-02是短波增强型APD，在紫外和可见光波段具有高响应度。国产硅雪崩光电二极管C5803-01和C5803-02特点有高响应速度和高灵敏。

增强型雪崩光电二极管波长范围是400-1000nm，光敏面直径0.5mm，国产高增益APD增益最大是100M。高增益雪崩光电二极管又可以称为短波增强型APD和国产高增益APD。

短波增强型APD可以应用于激光测距、激光雷达、微弱光检测和光通信。

硅雪崩光电二极管规格

硅雪崩光电二极管在23度的光电特性。

高增益雪崩光电二极管型号	C58012-01	C58012-02
光敏面直径mm	0.5	0.5
光谱响应范围nm	400-1000	400-1000
峰值波长nm	730	730
击穿电压	典型值161，最大值180	典型值155，最大值180
增益M	45	100
暗电流（M=50nA）	典型值0.1，最大值0.3	典型值0.2，最大值0.5
截止频率 Fc（MHz）	600	600
电容Ct（pF）	1.0pF	1.0pF
温度系数（V/°C）	0.6	0.6

左边是光谱响应图，右边是量子效率与波长的关系图

左边是暗电流与反向电压关系图，右边是增益和反向电压关系图

C5803-01和C5803-02国产硅雪崩光电二极管规格参数。

增强型雪崩光电二极管型号	C5803-01	C5803-02
光敏面直径mm	0.5	0.5
光谱响应范围nm	400-1000	400-1000
峰值波长nm	770	790
击穿电压	典型值191，最大值220	典型值191，最大值220
增益M	50	50
暗电流（M=50nA）	典型值0.3，最大值0.5	典型值0.4，最大值0.6
截止频率 Fc（MHz）	540	510
电容Ct（pF）	1.2pF	1.2pF
温度系数（V/°C）	0.6	0.6