TSYS03温度系统传感器
温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器，用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸，可轻松适应印刷电路板上的可用空间。
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PbS近红外探测器，TrinamiX
德国TrinamiX近红外探测器不仅受到TO标准封装的保护，而且受到直接在芯片上封装的新型薄膜保护。在室温下具有长寿命和最高探测率。1-3μm PbS探测器额外的TO封装，可提高安全性、坚固性和与现有产品的兼容性。
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QCL激光红外探测器
滨松Hamamatsu有一款QCL超快红外探测器P16309-01，响应带宽为20GHz (-3 dB)，波长为4.65um，工作时无偏压，无需冷却，因此不需要外部电源。这款QCL红外探测器安装只需两个简单的步骤：将SMA接头连接到测量仪器（示波器等），然后将入射光引向内部聚焦透镜。
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Fluo Sens荧光探测器
Fluo Sens Integrated非常适合集成到紧凑型和移动式荧光检测系统中，或用于自动化过程中的在线测量。DIALUNOX的独特荧光探测器是集成到紧凑型和移动式荧光检测系统中，或用于自动化流程中在线测量的理想解决方案。
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红外探测器二极管Laser Components
红外二极管探测器InGaAs探测器系列根据标称截止波长的不同分为IG17、IG22和IG26，分别对应1.7μm、2.2μm和2.6μm的截止波长。该红外光InGaAs光电二极管系列的开发重点是量子效率，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，在宽光谱范围内具有出色的并联电阻和卓越的响应性。
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硅材料APDs，雪崩光电二极管
硅材料APDs，雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围，具有极高的量子效率、极低的噪声。
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单光子探测器，Laser Components
德国Laser Components (简称LC)的COUNT系列单光子计数模组暗计数率低，其开发目的是为光子计数应用提供高光子检测效率、宽动态范围、低暗计数率和易用性的独特组合。
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热电堆传感器Dexter
Dexter可提供线阵形式，单通道，双通道以及四通道的探测器，其中一款ST系列探测器具备高灵敏度，高精度和高稳定性的特点。Dexter的热电堆是被动红外探测器，用于鼓膜温度计、汽车气候控制传感系统、过程监控、家用电器和辐射计中的非接触式温度测量。
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气体传感VCSEL激光器
VERTILAS的近红外VCSEL提供特定波长的单模激光器，其中VCSEL激光器可作为可调谐半导体激光吸收光谱分析(TDLAS)的半导体激光光源，可以检测多种气体，激光波长从1.3µm到 2.3µm，包括针对主要应用的标准产品
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Infrasolid热辐射红外光源
德国Infrasolid热辐射红外光源是一种可脉冲式热发射器，具有接近黑体的发射率，基于纳米技术的专利技术和高熔点金属光源结构，独立的整体辐射元件和纳米结构的光源表面为许多应用提供了众多优势，因此，还可称为红外线发射器，纳米红外光源和Infrasolid红外黑体光源。
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HISpower黑体光源_ Infrasolid
HISpower黑体光源_Infrasolid的电阻温度系数很低，因此，热电阻和冷电阻几乎相同，从而简化了红外辐射光源的电气控制。Infrasolid先进的TO-8封装红外光源技术允许焊接蓝宝石、CaF₂和BaF₂窗口，可在-25°C至+85°C的宽温度范围内使用。
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Dialunox ESElog荧光检测仪
ESElog高性能荧光检测器是针对您的特定需求量身打造的一款B2B解决方案，它采用最新一代技术，能够在实际需求点进行荧光测量。ESElog高性能荧光检测仪是一款高性能的荧光探测器，可同时测量最多3种荧光染料，设计上适合于多种实验室应用场景。
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OSI光电二极管
OSI硅光电二极管总共有36种类型，包括1064nmNd:YAG光电二极管、Nd:YAG光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、背照式SMT光电二极管、反向散射光电探测器、蓝色增强光电二极管、放大器混合型探测器滤光片组合、位置传感探测器、线性阵列光电二极管、紫外线增强100%QE光电二极管等等。
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Roithner 550nm LED
SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率高功率绿色LED，典型峰值波长为550nm，光输出功率为100mW@350mA。高功率绿光LED采用SMD封装（PA9T），带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。
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紫外光电二极管EPIGAP OSA
德国EPIGAP紫外光电二极管材质是碳化硅，因此这款紫外光电二极管EPIGAP OSA又可以称为SiC光电二极管或者是碳化硅光电二极管。
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热电冷却MCT光电导探测器
Infrared Associates提供一款高质量热电冷却光电导碲镉汞（MCT）探测器(Thermoelectric Cooled HgCdTe (MCT) detectors)供用户选择。Infrared碲镉汞探测器TEC的性能卓越，操作简便。
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InSb/HgCdTe探测器
美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color)，这些Infrared探测器各有各的优势和特点，以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。
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Infrared液氮冷却MCT探测器/阵列
美国Infrared Associates提供质量优异，波长范围宽广的液氮冷却HgCdTe探测器/阵列探测器，其中，还有波段高达2µm至24µm的FTIR系列碲镉汞探测器，这些Infrared红外探测器除了标准品外还可提供定制
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ET Enterprises光电探测器模块
PDM9125-CN光电探测器模块集成了一个圆柱形模块、蓝绿灵敏度高，9125B光电倍增管和一个低功耗负高压电源，封装在圆柱形Mu-金属外壳中。信号输出直接从光电倍增管阳极输出，并处于地电位，因此用户可以选择在直流、脉冲计数或光子计数模式下操作模块。
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OSI InGaAs光电探测器
OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备，适用于该频谱范围内的大量应用，如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。
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β射线,beta射线探测器ET Enterprises
ET Enterprises β射线探测器采用5V输入电压、2.6V电压TTL输出，这让β射线检测器能够适配大多数设备；运行温度5~55℃、湿度93%让探测器能够适应恶劣环境
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OSI宽动态跨阻放大器
OSI宽动态跨阻放大器有FCI-H125G-GaAs-100和FCI-H250G-GaAs-100两个型号，波长范围是650-860nm。基于OSI砷化镓光电探测器具有100μm有效面积和400至850nm的灵敏度范围，集成了宽动态跨阻放大器。
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Femto超高速光信号接收器
Femto超高速光信号接收器的光谱范围是320至1700nm，与光学工作台（自由空间）和光纤等兼容，这系列的Femto光电探测器适合应用于光谱学、光触发和快速脉冲测量和瞬态测量等。
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Opto Diode极紫外光电二极管
SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。
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Optodiode紫外增强型光电探测器
紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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EPIGAP选择性光电二极管
EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统，光屏障，光谱传感器，光学通信。
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SiTek位置敏感探测器阵列
SiTek位置敏感探测器阵列(PSD-Array)也叫阵列式位敏探测器，由瑞典SiTek生产，主要是由同一芯片上的16个平行一维PSD元件组成，只有一个型号，是1LA16-2,5_SU89。
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一维/二维位敏探测器SiTek
SiTek探测器主要有两种类型：一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作，具有出色的位置分辨率。
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Amplification近红外离散放大光子探测器
Amplification1550系列5x5近红外光电探测器可实现近红外光谱响应，950nm至1650nm、高速自淬火近红外铟镓砷探测器5x5 Array，专为3D激光雷达应用而设计。
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NIRDAPD TEC近红外探测器
Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器，波长覆盖950nm至1650nm的近红外波段。
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Roithner 1900nm LED
Roithner高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
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HBPR系列光电探测器
HBPR系列除了出色的技术数据外，还非常重视细节和多功能性，HBPR系列光电探测器由于具有自由空间和光纤耦合输入、可切换的增益和带宽、可切换的AC/DC耦合以及与常见光学附件的广泛机械兼容性
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