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OSI光电二极管

OSI光电二极管

OSI光电二极管

OSI硅光电二极管总共有36种类型,包括1064nmNd:YAG光电二极管、Nd:YAG光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、背照式SMT光电二极管、反向散射光电探测器、蓝色增强光电二极管、放大器混合型探测器滤光片组合、位置传感探测器、线性阵列光电二极管、紫外线增强100%QE光电二极管等等。

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Roithner 550nm LED

Roithner 550nm LED

Roithner 550nm LED

SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率高功率绿色LED,典型峰值波长为550nm,光输出功率为100mW@350mA。高功率绿光LED采用SMD封装(PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模压平窗。

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紫外光电二极管EPIGAP OSA

紫外光电二极管EPIGAP OSA

紫外光电二极管EPIGAP OSA

德国EPIGAP紫外光电二极管材质是碳化硅,因此这款紫外光电二极管EPIGAP OSA又可以称为SiC光电二极管或者是碳化硅光电二极管。

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热电冷却MCT光电导探测器

热电冷却MCT光电导探测器

热电冷却MCT光电导探测器

Infrared Associates提供一款高质量热电冷却光电导碲镉汞(MCT)探测器(Thermoelectric Cooled HgCdTe (MCT) detectors)供用户选择。Infrared碲镉汞探测器TEC的性能卓越,操作简便。

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InSb/HgCdTe探测器

InSb/HgCdTe探测器

InSb/HgCdTe探测器

美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color),这些Infrared探测器各有各的优势和特点,以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。

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Infrared液氮冷却MCT探测器/阵列

Infrared液氮冷却MCT探测器/阵列

Infrared液氮冷却MCT探测器/阵列

美国Infrared Associates提供质量优异,波长范围宽广的液氮冷却HgCdTe探测器/阵列探测器,其中,还有波段高达2µm至24µm的FTIR系列碲镉汞探测器,这些Infrared红外探测器除了标准品外还可提供定制

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ET Enterprises光电探测器模块

ET Enterprises光电探测器模块

ET Enterprises光电探测器模块

PDM9125-CN光电探测器模块集成了一个圆柱形模块、蓝绿灵敏度高,9125B光电倍增管和一个低功耗负高压电源,封装在圆柱形Mu-金属外壳中。信号输出直接从光电倍增管阳极输出,并处于地电位,因此用户可以选择在直流、脉冲计数或光子计数模式下操作模块。

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OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电探测器

OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备,适用于该频谱范围内的大量应用,如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。

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β射线,beta射线探测器ET Enterprises

β射线,beta射线探测器ET Enterprises

β射线,beta射线探测器ET Enterprises

ET Enterprises β射线探测器采用5V输入电压、2.6V电压TTL输出,这让β射线检测器能够适配大多数设备;运行温度5~55℃、湿度93%让探测器能够适应恶劣环境

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OSI宽动态跨阻放大器

OSI宽动态跨阻放大器

OSI宽动态跨阻放大器

OSI宽动态跨阻放大器有FCI-H125G-GaAs-100和FCI-H250G-GaAs-100两个型号,波长范围是650-860nm。基于OSI砷化镓光电探测器具有100μm有效面积和400至850nm的灵敏度范围,集成了宽动态跨阻放大器。

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Femto超高速光信号接收器

Femto超高速光信号接收器

Femto超高速光信号接收器

Femto超高速光信号接收器的光谱范围是320至1700nm,与光学工作台(自由空间)和光纤等兼容,这系列的Femto光电探测器适合应用于光谱学、光触发和快速脉冲测量和瞬态测量等。

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Opto Diode极紫外光电二极管

Opto Diode极紫外光电二极管

Opto Diode极紫外光电二极管

SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2,在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。

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Optodiode紫外增强型光电探测器

Optodiode紫外增强型光电探测器

Optodiode紫外增强型光电探测器

紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。

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EPIGAP选择性光电二极管

EPIGAP选择性光电二极管

EPIGAP选择性光电二极管

EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统,光屏障,光谱传感器,光学通信。

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SiTek位置敏感探测器阵列

SiTek位置敏感探测器阵列

SiTek位置敏感探测器阵列

SiTek位置敏感探测器阵列(PSD-Array)也叫阵列式位敏探测器,由瑞典SiTek生产,主要是由同一芯片上的16个平行一维PSD元件组成,只有一个型号,是1LA16-2,5_SU89。

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一维/二维位敏探测器SiTek

一维/二维位敏探测器SiTek

一维/二维位敏探测器SiTek

SiTek探测器主要有两种类型:一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作,具有出色的位置分辨率。

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Amplification近红外离散放大光子探测器

Amplification近红外离散放大光子探测器

Amplification近红外离散放大光子探测器

Amplification1550系列5x5近红外光电探测器可实现近红外光谱响应,950nm至1650nm、高速自淬火近红外铟镓砷探测器5x5 Array,专为3D激光雷达应用而设计。

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NIRDAPD TEC近红外探测器

NIRDAPD TEC近红外探测器

NIRDAPD TEC近红外探测器

Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器,波长覆盖950nm至1650nm的近红外波段。

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Roithner 1900nm LED

Roithner 1900nm LED

Roithner 1900nm LED

Roithner高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装,底座尺寸均为5x5mm。

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HBPR系列光电探测器

HBPR系列光电探测器

HBPR系列光电探测器

HBPR系列除了出色的技术数据外,还非常重视细节和多功能性,HBPR系列光电探测器由于具有自由空间和光纤耦合输入、可切换的增益和带宽、可切换的AC/DC耦合以及与常见光学附件的广泛机械兼容性

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AXUV光电二极管

AXUV光电二极管

AXUV光电二极管

AXUV100G X射线光电二极管是电子检测的理想选择,大检测面积、防护罩板。AXUV100G X射线光电探测器的有效面积是100mm2, 在VB=±10mV测试条件下,分流电阻最小值是20欧姆,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。

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雪崩光敏二极管APD

雪崩光敏二极管APD

雪崩光敏二极管APD

First Sensor 的雪崩光电二极管 (APD) 专门针对从蓝光 (400nm) 至红外 (1064nm) 波段的不同波长进行优化设计,对短距离和长距离的应用可实现快速测量并提供超高精度的可靠测量结果

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PIN型光敏二极管

PIN型光敏二极管

PIN型光敏二极管

First Sensor PIN光电二极管,也可以称为光敏二极管,具有灵敏度高,低电容,低暗电流的特点,从350-1700nm宽波段都有相应的型号进行挑选

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InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec为更易于系统集成而开发的数字探测器,也是红外热释电探测器,具有灵活可变的信号处理方式和更优异的电磁兼容性,探测灵敏度高

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高速脉冲红外发射二极管

高速脉冲红外发射二极管

高速脉冲红外发射二极管

本篇对SPF220-5M2这种高速脉冲红外发射光源,也叫高速脉冲红外激光二极管,进行简要介绍。红外发射二极管,用于各种医疗和工业领域,包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制

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Optodiode近红外LED

Optodiode近红外LED

Optodiode近红外LED

Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型,因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用,中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角覆盖大面积。

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可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用,有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管,本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。

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InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外传感器具有以下特点:热释电红外传感器的四组光谱范围可选,可调波长红外热释电传感器的光谱分辨率λ/Δλ可达60,InfraTec可调波长红外热释电探测器采用静电驱动波长调节,位置变化和温度变化的主动补偿,电流模式,热补偿。

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多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

InfraTec多色红外传感器作为在气体检测和火情探测的应用方面具有广泛的应用。多波长红外热释电探测器以其优异的特性和能力为工业检测领域提供了重要的支持。

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InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

红外热释电探测器具有如下特点:特殊红外传感器具有快速响应,增热释电红外传感器具有益提高和/或高调制频率,红外热释电传感器具有高性能光电转化效率,特殊热释电传感器具有可选快速响应时间,特殊热释电探测器可选大面积灵敏元,可选金黑涂层,具有均匀光谱响应。

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InfraTec红外热释电探测器

InfraTec红外热释电探测器

InfraTec红外热释电探测器

德国的InfraTec公司,专注传感器的研究生产。开发了类型多样,产品质量出色的InfraTec热释电红外探测器。主要用于生产各种用于高精度的气体分析,高性能的火情、火焰探测器。InfraTec热释电探测器采用模块化结构设计,设计多种标准型号,能够提供适应各种应用的最优化解决方案。

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Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V,功率耗散15mW,存储和操作温度-25°C至+100°C,焊接温度(距外壳1/16英寸,最长3秒)+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极,电压最低5V到最高15V。

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