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光电二极管(探测器) 首页 > 产品中心 > 光电二极管(探测器)
AXUV光电二极管

AXUV光电二极管

AXUV光电二极管

AXUV100G X射线光电二极管是电子检测的理想选择,大检测面积、防护罩板。AXUV100G X射线光电探测器的有效面积是100mm2, 在VB=±10mV测试条件下,分流电阻最小值是20欧姆,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。

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雪崩光敏二极管APD

雪崩光敏二极管APD

雪崩光敏二极管APD

First Sensor 的雪崩光电二极管 (APD) 专门针对从蓝光 (400nm) 至红外 (1064nm) 波段的不同波长进行优化设计,对短距离和长距离的应用可实现快速测量并提供超高精度的可靠测量结果

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PIN型光敏二极管

PIN型光敏二极管

PIN型光敏二极管

First Sensor PIN光电二极管,也可以称为光敏二极管,具有灵敏度高,低电容,低暗电流的特点,从350-1700nm宽波段都有相应的型号进行挑选

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InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec数字型红外热释电探测器

InfraTec为更易于系统集成而开发的数字探测器,也是红外热释电探测器,具有灵活可变的信号处理方式和更优异的电磁兼容性,探测灵敏度高

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高速脉冲红外发射二极管

高速脉冲红外发射二极管

高速脉冲红外发射二极管

本篇对SPF220-5M2这种高速脉冲红外发射光源,也叫高速脉冲红外激光二极管,进行简要介绍。红外发射二极管,用于各种医疗和工业领域,包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制

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Optodiode近红外LED

Optodiode近红外LED

Optodiode近红外LED

Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型,因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用,中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角覆盖大面积。

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可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

可见光和可见光高功率发光二极管

Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用,有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管,本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。

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InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外热释电探测器

InfraTec可调波长红外传感器具有以下特点:热释电红外传感器的四组光谱范围可选,可调波长红外热释电传感器的光谱分辨率λ/Δλ可达60,InfraTec可调波长红外热释电探测器采用静电驱动波长调节,位置变化和温度变化的主动补偿,电流模式,热补偿。

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多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

多波长红外热释电探测器

InfraTec多色红外传感器作为在气体检测和火情探测的应用方面具有广泛的应用。多波长红外热释电探测器以其优异的特性和能力为工业检测领域提供了重要的支持。

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InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

InfraTec特殊红外热释电探测器

红外热释电探测器具有如下特点:特殊红外传感器具有快速响应,增热释电红外传感器具有益提高和/或高调制频率,红外热释电传感器具有高性能光电转化效率,特殊热释电传感器具有可选快速响应时间,特殊热释电探测器可选大面积灵敏元,可选金黑涂层,具有均匀光谱响应。

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InfraTec红外热释电探测器

InfraTec红外热释电探测器

InfraTec红外热释电探测器

德国的InfraTec公司,专注传感器的研究生产。开发了类型多样,产品质量出色的InfraTec热释电红外探测器。主要用于生产各种用于高精度的气体分析,高性能的火情、火焰探测器。InfraTec热释电探测器采用模块化结构设计,设计多种标准型号,能够提供适应各种应用的最优化解决方案。

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Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器混合光电二极管

Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V,功率耗散15mW,存储和操作温度-25°C至+100°C,焊接温度(距外壳1/16英寸,最长3秒)+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极,电压最低5V到最高15V。

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Opto Diode可见光增强型探测器

Opto Diode可见光增强型探测器

Opto Diode可见光增强型探测器

Opto Diode可见光增强型探测器波长范围在400-740nm之间,也可以称之为400-740nm光电探测器。Opto Diode光电二极管具有低电容低暗电流等特点,红色和蓝色增强型光电二极管采用TO-5、TO-8、TO-18封装。红蓝增强型探测器是硅光电二极管或者增强型光电二极管。

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脉冲型红外发射二极管

脉冲型红外发射二极管

脉冲型红外发射二极管

Opto Diode生产的脉冲型红外发射二极管设计成作为黑体辐射的脉冲发射源。脉冲辐射源的辐射元件是一个超薄的特别配置的金属箔片,这种设置的目的是使被加热的箔片两侧发出的辐射都能高效地沿光轴从封装里发出。

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OptoDiode分段探测器

OptoDiode分段探测器

OptoDiode分段探测器

美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器是电子检测最理想的选择,分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm。

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OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管

OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管

OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管

美国OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管有AXUV100TF030光敏二极管、AXUV100TF400光敏二极管和SXUV100TF135光敏二极管三个型号。OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²,检测范围是1-80nm。

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高功率红外发射光源

高功率红外发射光源

高功率红外发射光源

Opto Diode生产的红外发射器,有稳态直流电发射器,黑体辐射脉冲光源,和带有集成驱动电子元件的高速红外发射源

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红外接收二极管

红外接收二极管

红外接收二极管

Opto Diode可以制造高性能红外探测器,具有丰富的工作区域尺寸,交替冷却,封装,窗口,透镜和滤波选项。对于气体分析,辐射监测,光谱学,过程控制,火焰和火灾监测等应用来说是理想的探测器。

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红外发射二极管

红外发射二极管

红外发射二极管

Opto Diode SA系列红外发射器被设计用来作为直流稳态黑体辐射发射器,发射器中的辐射元件是一个盘绕的灯丝,采用的特定材料,用发射率典型值为0.70的特定镀膜。输出的辐射在光谱范围里近似成一个黑体。SA系列发射器被设计用于1170 K的额定灯丝温度下工作。

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Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列

Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应,从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。是电子检测的理想选择。

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近红外和红光增强光电探测器

近红外和红光增强光电探测器

近红外和红光增强光电探测器

Optodiode近红外增强型光电探测器是小尺寸,可以减小占地面积。Optodiode近红外和红光增强光电二极管具有坚固的表面贴装器件,适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。

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