硅材料APDs，雪崩光电二极管
硅材料APDs，雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围，具有极高的量子效率、极低的噪声。
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气体传感VCSEL激光器
VERTILAS的近红外VCSEL提供特定波长的单模激光器，其中VCSEL激光器可作为可调谐半导体激光吸收光谱分析(TDLAS)的半导体激光光源，可以检测多种气体，激光波长从1.3µm到 2.3µm，包括针对主要应用的标准产品
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Infrasolid热辐射红外光源
德国Infrasolid热辐射红外光源是一种可脉冲式热发射器，具有接近黑体的发射率，基于纳米技术的专利技术和高熔点金属光源结构，独立的整体辐射元件和纳米结构的光源表面为许多应用提供了众多优势，因此，还可称为红外线发射器，纳米红外光源和Infrasolid红外黑体光源。
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HISpower黑体光源_ Infrasolid
HISpower黑体光源_Infrasolid的电阻温度系数很低，因此，热电阻和冷电阻几乎相同，从而简化了红外辐射光源的电气控制。Infrasolid先进的TO-8封装红外光源技术允许焊接蓝宝石、CaF₂和BaF₂窗口，可在-25°C至+85°C的宽温度范围内使用。
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OSI光电二极管
OSI硅光电二极管总共有36种类型，包括1064nmNd:YAG光电二极管、Nd:YAG光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、背照式SMT光电二极管、反向散射光电探测器、蓝色增强光电二极管、放大器混合型探测器滤光片组合、位置传感探测器、线性阵列光电二极管、紫外线增强100%QE光电二极管等等。
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Roithner 550nm LED
SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率高功率绿色LED，典型峰值波长为550nm，光输出功率为100mW@350mA。高功率绿光LED采用SMD封装（PA9T），带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。
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紫外光电二极管EPIGAP OSA
德国EPIGAP紫外光电二极管材质是碳化硅，因此这款紫外光电二极管EPIGAP OSA又可以称为SiC光电二极管或者是碳化硅光电二极管。
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OSI InGaAs光电探测器
OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备，适用于该频谱范围内的大量应用，如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。
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Opto Diode极紫外光电二极管
SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。
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Optodiode紫外增强型光电探测器
紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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EPIGAP选择性光电二极管
EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统，光屏障，光谱传感器，光学通信。
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Roithner 1900nm LED
Roithner高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
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AXUV光电二极管
AXUV100G X射线光电二极管是电子检测的理想选择，大检测面积、防护罩板。AXUV100G X射线光电探测器的有效面积是100mm2， 在VB=±10mV测试条件下，分流电阻最小值是20欧姆，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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雪崩光敏二极管APD
First Sensor 的雪崩光电二极管 (APD) 专门针对从蓝光 (400nm) 至红外 (1064nm) 波段的不同波长进行优化设计，对短距离和长距离的应用可实现快速测量并提供超高精度的可靠测量结果
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PIN型光敏二极管
First Sensor PIN光电二极管，也可以称为光敏二极管，具有灵敏度高，低电容，低暗电流的特点，从350-1700nm宽波段都有相应的型号进行挑选
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高速脉冲红外发射二极管
本篇对SPF220-5M2这种高速脉冲红外发射光源，也叫高速脉冲红外激光二极管，进行简要介绍。红外发射二极管,用于各种医疗和工业领域，包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制
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Optodiode近红外LED
Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型，因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用，中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度，广角覆盖大面积。
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可见光和可见光高功率发光二极管
Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用，有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管，本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。
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Optodiode集成放大器混合光电二极管
Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V，功率耗散15mW，存储和操作温度-25°C至+100°C，焊接温度（距外壳1/16英寸，最长3秒）+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极，电压最低5V到最高15V。
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脉冲型红外发射二极管
Opto Diode生产的脉冲型红外发射二极管设计成作为黑体辐射的脉冲发射源。脉冲辐射源的辐射元件是一个超薄的特别配置的金属箔片，这种设置的目的是使被加热的箔片两侧发出的辐射都能高效地沿光轴从封装里发出。
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OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管
美国OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管有AXUV100TF030光敏二极管、AXUV100TF400光敏二极管和SXUV100TF135光敏二极管三个型号。OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²，检测范围是1-80nm。
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